內置智能控制模塊（自主專利技術），動作響應快、損耗小，降低溫升，節能效果明顯。

SPAD 是一種像素結構，可利用雪崩倍增技術，將單個入射光子的電子放大，從而形成雪崩式疊加。KM系列控制模塊擁有超寬輸入電壓和交直流兩用的功能,接觸器型號可減少87.5%，有效降低管理成本.

傳感器通過在 CMOS 圖像傳感器中創造的背照式像素結構、堆疊結構和 Cu-Cu 連接等技術，成功地構建了一種將 SPAD 像素和測距處理電路封裝在單個芯片的獨特元器件結構。

制造商:Vishay 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:3.16 A Rds On-漏源導通電阻:47 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:750 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Vishay Semiconductors 配置:Single 下降時間:6 ns 正向跨導 - 最小值:7 S 高度:1.45 mm 長度:2.9 mm 產品類型:MOSFET 上升時間:12 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關閉延遲時間:14 ns 典型接通延遲時間:7 ns 寬度:1.6 mm 零件號別名:SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-E3 單位重量:8 mg

采用高度集成自主IC，無需短路環，多殼架共用一個線圈，降低制造工藝成本；可直接運用現有線圈,現有殼架進行升級改造,無需重新設計與開模，改造成本低，操作簡單。  

KM系列接觸器控制模塊擁有超寬輸入電壓75-305VAC/VDC輸入、交直流兩用功能，抗電網晃電能力強，降低了故障風險；同時大幅度減小多型號管理成本，減小最終用戶繁瑣選型，便于操作。

傳統交流接觸器需要短路環來消除銜鐵產生的振動和噪聲，而金升陽KM系列接觸器控制模塊無需短路環,改善了短路環帶來的“嗡嗡嗡”聲音問題，同時降低短路環產生的功耗。

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