寬體16腳版本的最大隔離工作電壓大于1550Vpk限制集成方法
發布時間:2021/10/3 23:08:50 訪問次數:111
新聚合物材料具有創新的DRAM集成概念.傳統的硅集成是基于少數幾種材料如硅,二氧化硅和氮化硅,限制了集成方法.
用這種技術所制造的存儲器單元有很好的可靠性數據.第一次的數據保存時間超過一年,而且它的尺寸可小于20nm.
這種有機存儲材料是很吸引人的非揮發性存儲器的侯選材料.
制造商:Everspin Technologies產品種類:磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)RoHS: 封裝 / 箱體:TSOP-44接口類型:Parallel存儲容量:4 Mbit組織:256 k x 16數據總線寬度:16 bit訪問時間:35 ns電源電壓-最小:3 V電源電壓-最大:3.6 V工作電源電流:105 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C系列:封裝:Tray商標:Everspin Technologies安裝風格:SMD/SMT濕度敏感性:Yes產品類型:MRAM135子類別:Memory & Data Storage單位重量:13.628 g
NSM201X系列產品主要特點包括：
NSM201X系列具備高靈敏度，低零點誤差及良好的線性度（非線性度正負0.2%）等特性，能夠降低器件的整體輸出誤差，在工作溫度范圍內，最大測量誤差±1.5%。產品目前已經通過UL62368、IEC62368、TUV等認證。
寬體16腳版本的最大隔離工作電壓大于1550Vpk、絕緣性能為1min耐壓為5000Vrms、浪涌絕緣耐壓大于10kV。
窄體8腳封裝支持600Vpk的工作電壓，絕緣性能為1min耐壓為3000Vrms的，浪涌絕緣耐壓大于6kV。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
新聚合物材料具有創新的DRAM集成概念.傳統的硅集成是基于少數幾種材料如硅,二氧化硅和氮化硅,限制了集成方法.
用這種技術所制造的存儲器單元有很好的可靠性數據.第一次的數據保存時間超過一年,而且它的尺寸可小于20nm.
這種有機存儲材料是很吸引人的非揮發性存儲器的侯選材料.
制造商:Everspin Technologies產品種類:磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)RoHS: 封裝 / 箱體:TSOP-44接口類型:Parallel存儲容量:4 Mbit組織:256 k x 16數據總線寬度:16 bit訪問時間:35 ns電源電壓-最小:3 V電源電壓-最大:3.6 V工作電源電流:105 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C系列:封裝:Tray商標:Everspin Technologies安裝風格:SMD/SMT濕度敏感性:Yes產品類型:MRAM135子類別:Memory & Data Storage單位重量:13.628 g
NSM201X系列產品主要特點包括：
NSM201X系列具備高靈敏度，低零點誤差及良好的線性度（非線性度正負0.2%）等特性，能夠降低器件的整體輸出誤差，在工作溫度范圍內，最大測量誤差±1.5%。產品目前已經通過UL62368、IEC62368、TUV等認證。
寬體16腳版本的最大隔離工作電壓大于1550Vpk、絕緣性能為1min耐壓為5000Vrms、浪涌絕緣耐壓大于10kV。
窄體8腳封裝支持600Vpk的工作電壓，絕緣性能為1min耐壓為3000Vrms的，浪涌絕緣耐壓大于6kV。
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