高度小型化的晶圓級芯片級封裝(WLCSP)標稱電壓3.6或3.7V
發布時間:2021/10/31 10:38:24 訪問次數:321
nPM1100 PMIC集成電池充電器設計可用于為鋰離子和鋰聚合物電池充電,可選4.1或4.2 V終止電壓,并且支持電池化學,標稱電壓分別為3.6 或 3.7 V。
該裝置具有電池過熱保護功能,并可自動選擇三種充電模式:自動涓流充電、恒流和恒壓充電。
用戶可通過電阻器選擇最大充電電流,范圍為20 mA至400mA。該充電器還具有放電電流限制器,并且符合JEITA 標準。
這個高效降壓穩壓器可以在1.8、2.1、2.7或3.0 V的可選輸出電壓下提供高達150 mA電流。
制造商: onsemi
產品種類: 達林頓晶體管
配置: Single
晶體管極性: NPN
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 100 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V
集電極—基極電壓 VCBO: 100 V
最大直流電集電極電流: 8 A
最大集電極截止電流: 10 uA
Pd-功率耗散: 20 W
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3 (DPAK)
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: MJD122
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
集電極連續電流: 8 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 100, 1000
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
產品類型: Darlington Transistors
工廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
寬度: 6.22 mm
單位重量: 500 mg
ST4SIM已通過 GSMA 認證,并在意法半導體歐洲和東南亞GSMA SAS-UP 認證工廠制造,采用行業標準的 MFF2 5mm x 6mm DFN8 Wettable Flank封裝。
此外,這些 eSIM芯片允許客戶根據 GSMA 規范對 SIM 配置文件進行遠程管理,無需訪問設備即可更改網絡服務提供商。
ST4SI2M0020TPIFW 現已在意法半導體網上商城上架開售,其他類型封裝客戶可以訂購,包括高度小型化的晶圓級芯片級封裝 (WLCSP)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
nPM1100 PMIC集成電池充電器設計可用于為鋰離子和鋰聚合物電池充電,可選4.1或4.2 V終止電壓,并且支持電池化學,標稱電壓分別為3.6 或 3.7 V。
該裝置具有電池過熱保護功能,并可自動選擇三種充電模式:自動涓流充電、恒流和恒壓充電。
用戶可通過電阻器選擇最大充電電流,范圍為20 mA至400mA。該充電器還具有放電電流限制器,并且符合JEITA 標準。
這個高效降壓穩壓器可以在1.8、2.1、2.7或3.0 V的可選輸出電壓下提供高達150 mA電流。
制造商: onsemi
產品種類: 達林頓晶體管
配置: Single
晶體管極性: NPN
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 100 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V
集電極—基極電壓 VCBO: 100 V
最大直流電集電極電流: 8 A
最大集電極截止電流: 10 uA
Pd-功率耗散: 20 W
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3 (DPAK)
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: MJD122
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
集電極連續電流: 8 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 100, 1000
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
產品類型: Darlington Transistors
工廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
寬度: 6.22 mm
單位重量: 500 mg
ST4SIM已通過 GSMA 認證,并在意法半導體歐洲和東南亞GSMA SAS-UP 認證工廠制造,采用行業標準的 MFF2 5mm x 6mm DFN8 Wettable Flank封裝。
此外,這些 eSIM芯片允許客戶根據 GSMA 規范對 SIM 配置文件進行遠程管理,無需訪問設備即可更改網絡服務提供商。
ST4SI2M0020TPIFW 現已在意法半導體網上商城上架開售,其他類型封裝客戶可以訂購,包括高度小型化的晶圓級芯片級封裝 (WLCSP)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)