2到6個芯片的MCP，有NOR閃存，NAND閃存，SRAM，假SRAM(PSRAM)和低功耗SDRAM各種組合，以滿足數碼照相手機和豐富多彩特性的3G手機的復雜的存儲器要求。

更寬的x16 NAND單芯片閃存的總線寬度加倍，和x8 NAND閃存相比，降低了數據傳輸所需要的時間近50%。為了滿足OEM客戶的要求，東芝提供低功耗SDRAM作為多種存儲器MCP器件的一種選擇。

這些手機對存儲器的要求變得越來越復雜，因為在手機中增加了附加的特性和應用功能，如互聯網瀏覽，文字信息，游戲和數字照相機功能。

制造商:ISSI產品種類:動態隨機存取存儲器RoHS: 詳細信息類型:SDRAM安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOP-54數據總線寬度:16 bit組織:4 M x 16存儲容量:64 Mbit最大時鐘頻率:143 MHz訪問時間:5.4 ns電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:3 V電源電流—最大值:90 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:IS42S16400J封裝:Tray商標:ISSI濕度敏感性:Yes產品類型:DRAM工廠包裝數量:108子類別:Memory & Data Storage單位重量:7.711 g

緊湊型防水IPX8等級封裝擴大了應用范圍,BM1390GLV 利用了羅姆在MEMS,控制電路與防水技術的多種技術積累，以與傳統緊湊型封裝（2.0mm × 2.0mm × 1.0mm）相同的尺寸實現 IPX8 防水性能。

優越的溫度特性和抗應力能力實現高精度氣壓測量，BM1390GLV采用獨創的溫度補償功能和陶瓷材料封裝，以實現優越的溫度特性和抗應力。

即使在受溫度變化和壓力影響的環境中，也能實現高精度氣壓測量。第一款支持高達800MBps數據速率的雙倍數據速率-II (DDR-II)鎖相環(PLL)CDCU877。

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