絕緣層厚度方向上的電壓應力超過了1KV/mm接入到互聯網
發布時間:2021/11/3 8:51:23 訪問次數:522
下一代的開發平臺將集中在BCM2132單片EDGE/GPRS/GSM多媒體處理器,它能在GSM網絡上以大于236kbps的速率傳輸高速多時隙12類的數據.
這種經已證明的EDGE平臺將會使制造商能開發出下一代移動通信設備,以比現有的GSM和GPRS無線設備快四倍的數據速率接入到互聯網.
SIM,PCMCIA和IrDA兼容,有極低的功耗,I/O電壓3V,核電壓2V,用于數據/傳真/測試的三個UART串行口,BCM2121的封裝是200針BGA封裝(13x13mm).
這種移動通信平臺有協議堆棧,靈活的軟件,應用程序接口,應用允許器和所有層1/DSP軟件的參考設計.
三相480V變頻器為例，交流輸入線電壓為480Vrms，則其母線電壓平均值為480*1.35=648Vdc，也就是進入輔助電源SPS的工作電壓就是648V，這個電壓值已經非常接近750V這個閾值.
750V閾值電壓是在整機實際運行過程中，實際測試得到的一次側高壓端與SELV電路之間的重復峰值電壓，用高壓差分探頭分別勾取兩邊的監測點，若此電壓超過750V，同時，在絕緣層厚度方向上的電壓應力超過了1KV/mm，則局部放電測試認證必做。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
下一代的開發平臺將集中在BCM2132單片EDGE/GPRS/GSM多媒體處理器,它能在GSM網絡上以大于236kbps的速率傳輸高速多時隙12類的數據.
這種經已證明的EDGE平臺將會使制造商能開發出下一代移動通信設備,以比現有的GSM和GPRS無線設備快四倍的數據速率接入到互聯網.
SIM,PCMCIA和IrDA兼容,有極低的功耗,I/O電壓3V,核電壓2V,用于數據/傳真/測試的三個UART串行口,BCM2121的封裝是200針BGA封裝(13x13mm).
這種移動通信平臺有協議堆棧,靈活的軟件,應用程序接口,應用允許器和所有層1/DSP軟件的參考設計.
三相480V變頻器為例，交流輸入線電壓為480Vrms，則其母線電壓平均值為480*1.35=648Vdc，也就是進入輔助電源SPS的工作電壓就是648V，這個電壓值已經非常接近750V這個閾值.
750V閾值電壓是在整機實際運行過程中，實際測試得到的一次側高壓端與SELV電路之間的重復峰值電壓，用高壓差分探頭分別勾取兩邊的監測點，若此電壓超過750V，同時，在絕緣層厚度方向上的電壓應力超過了1KV/mm，則局部放電測試認證必做。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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