雙導光板與零隙微透鏡最大限度地提高進入像素感光區的光線耦合度，以實現低光下的良好信噪比。

導光板和微透鏡還能實現一個很寬的角響應,更接近于背照式像素，盡管Topaz采用正面照明技術.這些"像素內"光學元件也減少了像素與像素之間的串擾，從而提供清晰圖像。

針對圖像質量的進一步討論需要重點關注暗信號及其對固定模式噪聲（FPN）的影響，尤其是在高溫環境下。高暗信號不均勻性（DSNU）往往會導致圖像中出現更多可見的VFPN/HFPN，即使利用了補償技術。Topaz傳感器具備的兩個特性確保高溫下圖像質量的優越性。

制造商:Vishay 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:3.16 A Rds On-漏源導通電阻:47 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:750 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Vishay Semiconductors 配置:Single 下降時間:6 ns 正向跨導 - 最小值:7 S 高度:1.45 mm 長度:2.9 mm 產品類型:MOSFET 上升時間:12 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關閉延遲時間:14 ns 典型接通延遲時間:7 ns 寬度:1.6 mm 零件號別名:SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-E3 單位重量:8 mg

RA6M5是高性能200MHz 基于Arm® Cortex®-M33 內核的微控制器,集成了多達2MB代碼閃存,8KB數據閃存和帶極性/ECC的512KB SRAM.

高度集成的以太網MAC控制器,可確保高數據吞吐率,USB 2.0高速,CAN FD,SDHI,Quad和Octa SPI以及先進的模擬電路.

還集成了安全加密引擎和加密加速器,支持密鑰管理技術,篡改檢測和功率分析電阻,支持TrustZone®.與片內的安全加密引擎(SCE)配合使用,可實現安全芯片的功能.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）