DDR5的模塊4K和8K內容創建-20°C到70°C極端溫度和高濕度
發布時間:2021/11/8 13:24:42 訪問次數:112
DDR5 可實現更優的電源效率，將工作電壓降低到 1.1V。此外，其特有的功能使未來的芯片密度可從今天的 16Gb 擴展到 24Gb、32Gb 及以上，使 DDR5 的模塊密度比 DDR4 DRAM 翻兩番。這為支持 DDR5 的系統提供了發展空間和未來的可擴展性。
改進的總線效率帶來更高的有效帶寬。通過集成更高的帶寬、更低的功耗和更高的密度，DDR5可提高新興PC應用所需的性能，例如4K和8K內容創建、互動娛樂、個人和企業生產力，以及虛擬現實體驗。
通過滿足嚴苛的多核CPU需求,DDR5 內存還有助于在不影響系統性能情況下讓多任務的處理效率更高。
制造商:onsemi產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WDFN-6晶體管極性:N-Channel通道數量:2 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續漏極電流:3.7 ARds On-漏源導通電阻:70 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 VVgs th-柵源極閾值電壓:400 mVQg-柵極電荷:6.5 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:1.5 W通道模式:Enhancement封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:onsemi配置:Dual下降時間:11.8 ns高度:0.75 mm長度:2 mm產品:MOSFET Small Signal產品類型:MOSFET上升時間:11.8 ns系列:NTLJD4116N工廠包裝數量:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:2 N-Channel典型關閉延遲時間:14.2 ns典型接通延遲時間:4.8 ns寬度:2 mm單位重量:17.670 mg
一種堅固的兩行16個字，陽光下可讀的玻璃上芯片液晶顯示器(LCD)，其型號為DV3002。
能夠經受住-20°C到70°C的極端溫度和高濕度，DV3002適用在用電池工作的設備，它的重量和環境都是嚴格要求的，例如過程控制設備，移動數據采集設備和手提儀表。
非接觸型接口符合ISO/IEC 14443 B型標準,它能調整卡的物理特性,射頻功率和信號接口,防沖突處理和傳輸協議.智能卡開發商能采用為AE45X系列而開發的日立E6000仿真器來開發基于AE45X-B微控制器的產品和進行調試.這些芯片的軟件和AE-4系列MCU兼容。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
DDR5 可實現更優的電源效率，將工作電壓降低到 1.1V。此外，其特有的功能使未來的芯片密度可從今天的 16Gb 擴展到 24Gb、32Gb 及以上，使 DDR5 的模塊密度比 DDR4 DRAM 翻兩番。這為支持 DDR5 的系統提供了發展空間和未來的可擴展性。
改進的總線效率帶來更高的有效帶寬。通過集成更高的帶寬、更低的功耗和更高的密度，DDR5可提高新興PC應用所需的性能，例如4K和8K內容創建、互動娛樂、個人和企業生產力，以及虛擬現實體驗。
通過滿足嚴苛的多核CPU需求,DDR5 內存還有助于在不影響系統性能情況下讓多任務的處理效率更高。
制造商:onsemi產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WDFN-6晶體管極性:N-Channel通道數量:2 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續漏極電流:3.7 ARds On-漏源導通電阻:70 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 VVgs th-柵源極閾值電壓:400 mVQg-柵極電荷:6.5 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:1.5 W通道模式:Enhancement封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:onsemi配置:Dual下降時間:11.8 ns高度:0.75 mm長度:2 mm產品:MOSFET Small Signal產品類型:MOSFET上升時間:11.8 ns系列:NTLJD4116N工廠包裝數量:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:2 N-Channel典型關閉延遲時間:14.2 ns典型接通延遲時間:4.8 ns寬度:2 mm單位重量:17.670 mg
一種堅固的兩行16個字，陽光下可讀的玻璃上芯片液晶顯示器(LCD)，其型號為DV3002。
能夠經受住-20°C到70°C的極端溫度和高濕度，DV3002適用在用電池工作的設備，它的重量和環境都是嚴格要求的，例如過程控制設備，移動數據采集設備和手提儀表。
非接觸型接口符合ISO/IEC 14443 B型標準,它能調整卡的物理特性,射頻功率和信號接口,防沖突處理和傳輸協議.智能卡開發商能采用為AE45X系列而開發的日立E6000仿真器來開發基于AE45X-B微控制器的產品和進行調試.這些芯片的軟件和AE-4系列MCU兼容。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
