總容量128M字節X72最多可減少20cm2電路板面積
發布時間:2021/11/12 23:10:51 訪問次數:204
DDR DIMM存儲器模塊DDR333，目標應用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)計算機服務器和工作站。采用36個256M位FBGA封裝的存儲器器芯片，184引腳模塊比用TSOP封裝的同樣容量的模塊，板面積要小60%。
此外，由于封裝引起的寄生參數在數據引腳減小50%，其負載電感為3.0nH,電容為0.32pF,電阻為0.12歐姆。
總容量為128M字節X72，分成兩組，2.5V為工作電源，1.25V為信號電壓。
制造商:Panasonic產品種類:鋁有機聚合物電容器RoHS: 詳細信息產品:Aluminum Hybrid Polymer Capacitors端接類型:SMD/SMT封裝類型:Can電容:150 uF電壓額定值 DC:35 VDC容差:20 %ESR:27 mOhms最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 125 C直徑:8 mm長度:10.2 mm高度:10.5 mm紋波電流:1.6 A壽命:4000 Hour資格:AEC-Q200系列:ZC封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Panasonic產品類型:Electrolytic Capacitors工廠包裝數量:500子類別:Capacitors單位重量:1 g
16串電芯電壓測量
內部（10mA）和外部（200mA）電芯平衡選項
工作電壓范圍為12-55V，電壓測量精度為+/-10mV
最多可減少20cm2電路板面積
低側電流感應測量
高側充電/放電FET電池保護
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
DDR DIMM存儲器模塊DDR333，目標應用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)計算機服務器和工作站。采用36個256M位FBGA封裝的存儲器器芯片，184引腳模塊比用TSOP封裝的同樣容量的模塊，板面積要小60%。
此外，由于封裝引起的寄生參數在數據引腳減小50%，其負載電感為3.0nH,電容為0.32pF,電阻為0.12歐姆。
總容量為128M字節X72，分成兩組，2.5V為工作電源，1.25V為信號電壓。
制造商:Panasonic產品種類:鋁有機聚合物電容器RoHS: 詳細信息產品:Aluminum Hybrid Polymer Capacitors端接類型:SMD/SMT封裝類型:Can電容:150 uF電壓額定值 DC:35 VDC容差:20 %ESR:27 mOhms最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 125 C直徑:8 mm長度:10.2 mm高度:10.5 mm紋波電流:1.6 A壽命:4000 Hour資格:AEC-Q200系列:ZC封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Panasonic產品類型:Electrolytic Capacitors工廠包裝數量:500子類別:Capacitors單位重量:1 g
16串電芯電壓測量
內部（10mA）和外部（200mA）電芯平衡選項
工作電壓范圍為12-55V，電壓測量精度為+/-10mV
最多可減少20cm2電路板面積
低側電流感應測量
高側充電/放電FET電池保護
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