SRAM邏輯架構的快速配置比傳統淺槽絕緣(SGI)方法更高密度
發布時間:2021/11/13 13:19:01 訪問次數:302
Nexus™ FPGA平臺,采用低功耗28nm FD-SOI技術,組合了極為靈活的FPGA和低功耗以及FD-SOI技術的高可靠性(由于極低的SER),提供小占位尺寸封裝和每平方毫米大數量I/O.
Certus-NX FPGA支持基于可配置SRAM邏輯架構的快速配置,它的可編程sysI/O™超快配置(小于3ms).除了FD-SOI技術固有的高可靠性,它的主動可靠性特性包括內置的基于禎的SED/SEC(基于SRAM的邏輯架構)以及還支持ECC(對于EBR和LRAM).
雙12位ADC,用于系統監測功能.支持高達3.3V VCCIO,支持混合電壓(1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V).
制造商:Texas Instruments 產品種類:低壓差穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-6 輸出電壓:3.3 V 輸出電流:1 A 輸出端數量:1 Output 極性:Positive 靜態電流:265 uA 最大輸入電壓:5.5 V 最小輸入電壓:2.7 V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 回動電壓:220 mV 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Texas Instruments 回動電壓—最大值:325 mV at 1 A 高度:1.6 mm Ib - 輸入偏流:265 uA 長度:6.5 mm 線路調整率:0.05 % / V 負載調節:5 mV 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:260 uA 工作溫度范圍:- 4 產品類型:LDO Voltage Regulators 工廠包裝數量:2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 電壓調節準確度:2 % 寬度:3.5 mm 單位重量:120 mg
為了節省板的空間，存儲器采用小型48引腳TSOP 1型封裝，和日立前面的產品512M位閃存產品一樣。1G位器件在引腳排列和指令是和NAND型接口兼容的，只要稍為修改一下軟件就能代替。
AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區絕緣方法，以得到比傳統淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產的512M位的要小。
閃存的排列可通過熱電子注入的方法進行編程，以得到高的寫入速度。從源區注入熱電子能改善浮置柵注入效率，進行低電流快速并行寫入。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
Nexus™ FPGA平臺,采用低功耗28nm FD-SOI技術,組合了極為靈活的FPGA和低功耗以及FD-SOI技術的高可靠性(由于極低的SER),提供小占位尺寸封裝和每平方毫米大數量I/O.
Certus-NX FPGA支持基于可配置SRAM邏輯架構的快速配置,它的可編程sysI/O™超快配置(小于3ms).除了FD-SOI技術固有的高可靠性,它的主動可靠性特性包括內置的基于禎的SED/SEC(基于SRAM的邏輯架構)以及還支持ECC(對于EBR和LRAM).
雙12位ADC,用于系統監測功能.支持高達3.3V VCCIO,支持混合電壓(1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V).
制造商:Texas Instruments 產品種類:低壓差穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-6 輸出電壓:3.3 V 輸出電流:1 A 輸出端數量:1 Output 極性:Positive 靜態電流:265 uA 最大輸入電壓:5.5 V 最小輸入電壓:2.7 V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 回動電壓:220 mV 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Texas Instruments 回動電壓—最大值:325 mV at 1 A 高度:1.6 mm Ib - 輸入偏流:265 uA 長度:6.5 mm 線路調整率:0.05 % / V 負載調節:5 mV 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:260 uA 工作溫度范圍:- 4 產品類型:LDO Voltage Regulators 工廠包裝數量:2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 電壓調節準確度:2 % 寬度:3.5 mm 單位重量:120 mg
為了節省板的空間，存儲器采用小型48引腳TSOP 1型封裝，和日立前面的產品512M位閃存產品一樣。1G位器件在引腳排列和指令是和NAND型接口兼容的，只要稍為修改一下軟件就能代替。
AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區絕緣方法，以得到比傳統淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產的512M位的要小。
閃存的排列可通過熱電子注入的方法進行編程，以得到高的寫入速度。從源區注入熱電子能改善浮置柵注入效率，進行低電流快速并行寫入。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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