單個MOS驅動的結構通過MCU的 PWM模塊調整占空比
發布時間:2021/11/14 22:16:35 訪問次數:397
UCC21225A 是隔離的雙通道驅動芯片，原邊供電電壓3V-18V，副邊供電電壓6.5V – 25V，驅動延遲時間18ns，CMTI為100V/ns，驅動能力4A/6A，隔離等級為2500Vrms（在UL1577標準下）。
UCC21225A根據外圍線路，支持兩通道的低邊驅動，兩通道的高邊驅動和半橋驅動。在本文中，通過配置DT引腳，UCC21225工作在overlap模式。
驅動線路是完全隔離的，即驅動的原邊和副邊是隔離，驅動通道1和通道2是隔離。即使MOS失效，比如任意MOS短路，系統的高壓并不能傳導到低壓，從而實現故障隔離。
在電源和電機驅動應用中，功率MOS可以在不同的調制方式下，實現相應的能量轉換功能。單個MOS驅動的結構,通過MCU的 PWM模塊調整占空比，控制功率MOS的通斷，達到相應的功能。
雙存儲區工業標準閃存：M29DW323D 和M29DW324D。新器件的推出進一步豐富了ST公司已經很完整的M29系列閃存的產品組合。
通過一個塊保護命令可以對擴展塊施加保護，因此，擴展塊可用于存儲安全性數據，為需要有一個對終端用戶鎖定的存儲區的所有應用(客戶的配置數據)提供額外的保護功能。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
UCC21225A 是隔離的雙通道驅動芯片，原邊供電電壓3V-18V，副邊供電電壓6.5V – 25V，驅動延遲時間18ns，CMTI為100V/ns，驅動能力4A/6A，隔離等級為2500Vrms（在UL1577標準下）。
UCC21225A根據外圍線路，支持兩通道的低邊驅動，兩通道的高邊驅動和半橋驅動。在本文中，通過配置DT引腳，UCC21225工作在overlap模式。
驅動線路是完全隔離的，即驅動的原邊和副邊是隔離，驅動通道1和通道2是隔離。即使MOS失效，比如任意MOS短路，系統的高壓并不能傳導到低壓，從而實現故障隔離。
在電源和電機驅動應用中，功率MOS可以在不同的調制方式下，實現相應的能量轉換功能。單個MOS驅動的結構,通過MCU的 PWM模塊調整占空比，控制功率MOS的通斷，達到相應的功能。
雙存儲區工業標準閃存：M29DW323D 和M29DW324D。新器件的推出進一步豐富了ST公司已經很完整的M29系列閃存的產品組合。
通過一個塊保護命令可以對擴展塊施加保護，因此，擴展塊可用于存儲安全性數據，為需要有一個對終端用戶鎖定的存儲區的所有應用(客戶的配置數據)提供額外的保護功能。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
