MAX1725只消耗2μA電流。不幸的是，電源必須允許較寬的輸入電壓范圍，以處理甩負載問題。甩負載是指當交流電機啟動時在斷開電池瞬間產生的高壓。

RF2870的性能設計成超出CDMA手機通信的暫行標準，提供三態增益控制，以滿足IS-98要求IMD的測試。器件還有TXLO緩沖放大器，LNA增益，混頻器增益和關斷模式的數字控制。

十八種新型N溝MOSFET，它封裝在業界第一個無底封裝，結合了比TO-263(D2-PAK)好得多的熱性能和很低的導通電阻的優點。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續漏極電流: 21 A

Rds On-漏源導通電阻: 100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Qg-柵極電荷: -

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商標名: SIPMOS

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 90 ns

正向跨導 - 最小值: 6 S

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 70 ns

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 250 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

寬度: 4.4 mm

零件號別名: BUZ30A H SP000682990 BUZ3AHXK

單位重量: 2 g

傳統的光電轉換技術一般采用 LED 等發光器件。這種發光器件多采用邊緣發射，體積大，因此比較難以和半導體技術結合。

垂直腔表面發射激光VCSEL技術成熟后,解決發光器件和半導體技術結合的問題，因此迅速得到普及。

VCSEL是很有發展前景的新型光電器件，也是光通信中革命性的光發射器件。顧名思義，邊發射激光器是沿平行于襯底表面、垂直于解理面的方向出射，而面發射激光器其出光方向垂直于襯底表面.

激光垂直于頂面射出，與一般用切開的獨立芯片制成，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。

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