5組32/16-bit變容二極管具有與襯底材料電阻率有關串聯電阻
發布時間:2021/11/16 21:41:13 訪問次數:178
電容誤差范圍是一個規定變容二極管的電容量范圍.數據表將顯示小值,標稱值及值,這些經常繪在圖上。
變容二極管又稱“可變電抗二極管”。所用材料多為硅或砷化鎵單晶,并采用外延工藝技術。反偏電壓愈大,則結電容愈小。變容二極管具有與襯底材料電阻率有關的串聯電阻。
變容二極管的作用是利用PN結之間電容可變的原理制成的半導體器件,在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。變容二極管屬于反偏壓二極管,改變其PN結上的反向偏壓,即可改變PN結電容量。反向偏壓越高,結電容則越少,反向偏壓與結電容之間的關系是非線性的.
制造商: Microchip
產品種類: 門驅動器
RoHS: 詳細信息
產品: MOSFET Gate Drivers
類型: Low Side
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
激勵器數量: 1 Driver
輸出端數量: 1 Output
輸出電流: 9 A
電源電壓-最小: 4.5 V
電源電壓-最大: 18 V
配置: Non-Inverting
上升時間: 25 ns
下降時間: 25 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MIC4422
封裝: Tube
商標: Microchip Technology / Micrel
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 450 uA
工作電源電壓: 4.5 V to 18 V
產品類型: Gate Drivers
工廠包裝數量: 95
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
單位重量: 540 mg
1組高級定時器,可輸出 4 通道帶互補端口的 PWM,支持死區和剎車5組32/16-bit 通用定時器
1組 12-bit SAR ADC,支持最高 1MSPS 采樣率和 13 路外部通道
1組高速模擬比較器
2.0 – 5.5V 寬壓設計,適用于各種電源供電場合
高可靠性: 支持最高 ±6000V HBM ESD,高溫 Latch-up 可耐受電流 ±300mA
提供 -40~85°C 和 -40~105°C 環溫選項
引腳兼容 MM32F031 和 MM32F0130 系列
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
電容誤差范圍是一個規定變容二極管的電容量范圍.數據表將顯示小值,標稱值及值,這些經常繪在圖上。
變容二極管又稱“可變電抗二極管”。所用材料多為硅或砷化鎵單晶,并采用外延工藝技術。反偏電壓愈大,則結電容愈小。變容二極管具有與襯底材料電阻率有關的串聯電阻。
變容二極管的作用是利用PN結之間電容可變的原理制成的半導體器件,在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。變容二極管屬于反偏壓二極管,改變其PN結上的反向偏壓,即可改變PN結電容量。反向偏壓越高,結電容則越少,反向偏壓與結電容之間的關系是非線性的.
制造商: Microchip
產品種類: 門驅動器
RoHS: 詳細信息
產品: MOSFET Gate Drivers
類型: Low Side
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
激勵器數量: 1 Driver
輸出端數量: 1 Output
輸出電流: 9 A
電源電壓-最小: 4.5 V
電源電壓-最大: 18 V
配置: Non-Inverting
上升時間: 25 ns
下降時間: 25 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MIC4422
封裝: Tube
商標: Microchip Technology / Micrel
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 450 uA
工作電源電壓: 4.5 V to 18 V
產品類型: Gate Drivers
工廠包裝數量: 95
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
單位重量: 540 mg
1組高級定時器,可輸出 4 通道帶互補端口的 PWM,支持死區和剎車5組32/16-bit 通用定時器
1組 12-bit SAR ADC,支持最高 1MSPS 采樣率和 13 路外部通道
1組高速模擬比較器
2.0 – 5.5V 寬壓設計,適用于各種電源供電場合
高可靠性: 支持最高 ±6000V HBM ESD,高溫 Latch-up 可耐受電流 ±300mA
提供 -40~85°C 和 -40~105°C 環溫選項
引腳兼容 MM32F031 和 MM32F0130 系列
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)