SiC器件在這種模式下通常更堅固，因為這些垂直器件會吸收其體積中的熱量，而GaN HEMT是在超薄二維電子氣中產生熱量的橫向器件。SiC在線性模式應用中的優勢顯示了SiC常開JFET，SiC MOSFET和Si MOSFET 的歸一化VTH對溫度特性。

Si MOSFET，SiC JFET和Si MOSFET的V TH隨溫度的標準化變化情況。

顯然，只有常導通的SiC FET才能避免VTH隨溫度下降。如果將某個設備用作電流源，或者甚至是在故意緩慢開關的固態斷路器中，則將時間花費在低電流，低(VGS— VTH)的范圍內。

由于使用4100T的用戶可以同時測量多達4個不同位置的溫度，因此執行多點控制功能所不能缺少的控制箱可以進一步減少，這樣有助于縮小方案大小，也可節省系統成本。

此外，每一通道的讀取速度可以高達1kHz，因此熱反應會更快，讓溫度可以更易受控，并確保先進應用的溫度更加一致，相關的應用包括快速熱處理、激光退火、原子層沉積以及其他先進的沉積技術。

這款多通道的光纖溫度計可按照特殊應用發射可配置波長，因此其準確度、可重復性和可靠性都特別高，而且讀取速度也較快，適用于要求極為嚴格的溫度測量工作。

AndesCore® D45是晶心科技RISC-V家族45系列成員之一，采用順序執行的8級雙發射超純量技術，具有優化的存儲流水線設計以及進階分支預測功能，同時支持符合IEEE754的單/雙精度浮點運算單元(FPU)及RISC-V P擴展指令(DSP/SIMD)。

45系列內核也具有區域內存(local memory)支持的儲存子系統，以及可配置的指令及數據高速緩存，對支持海量存儲器的SoC例如HPM6000系列，可進一步提升其軟件效能。

D45核心非常適合用于對響應時間和實時準確性有特別要求的嵌入式應用產品。