43nm技術2位/單元16Gb芯片1MHz開關頻率使用小型外部組件
發布時間:2021/12/25 17:46:42 訪問次數:960
在NAND閃存的“多位/單元”技術領域取得突破性進展，將使下一代器件的芯片密度更高，成本更低。
在32納米技術時代，Toshiba已經以業界最小晶片尺寸實現了3位/單元的32 Gb芯片，體積小于目前市場常見的采用43nm技術的2位/單元16Gb芯片。這款前沿的芯片將于2009下半年開始量產。該公司還采用43nm處理工藝組裝了業界首款64Gb芯片，可用于4位/單元技術。
4位/單元適用用于超多位編程技術，可實現64Gb存儲容量、7.8MB/s的寫入速度而不會增加芯片尺寸。
寬輸入電壓范圍：9V 至 32V (40V 絕對最大值)
可編程充電電流高達 2A
兩節鋰離子/聚合物電池充電能力，8.2V 充電電壓
用戶可選終止：C/10 或可編程終止定時器
動態充電速率編程/軟啟動引腳
可編程輸入電流限制
1MHz 開關頻率允許使用小型外部組件
±0.5% 充電電壓準確度
在矢網分析儀與微波暗室中測試天線參數性能,天線效率與遠場增益。
由以上雙層2X2陣列的測試圖可以看出，該天線的匹配良好，帶寬1.2GHz,加上微波暗室測試時自帶電纜的1dB插損，10GHz處的增益為10.7dB。
一旦充電終止，LT3650-8.2 就自動進入可將輸入電源電流降至 85uA 的低電流備用模式。在停機時，輸入偏置電流降至 15uA。
(素材來源：eccn和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
在NAND閃存的“多位/單元”技術領域取得突破性進展，將使下一代器件的芯片密度更高，成本更低。
在32納米技術時代，Toshiba已經以業界最小晶片尺寸實現了3位/單元的32 Gb芯片，體積小于目前市場常見的采用43nm技術的2位/單元16Gb芯片。這款前沿的芯片將于2009下半年開始量產。該公司還采用43nm處理工藝組裝了業界首款64Gb芯片，可用于4位/單元技術。
4位/單元適用用于超多位編程技術，可實現64Gb存儲容量、7.8MB/s的寫入速度而不會增加芯片尺寸。
寬輸入電壓范圍：9V 至 32V (40V 絕對最大值)
可編程充電電流高達 2A
兩節鋰離子/聚合物電池充電能力，8.2V 充電電壓
用戶可選終止：C/10 或可編程終止定時器
動態充電速率編程/軟啟動引腳
可編程輸入電流限制
1MHz 開關頻率允許使用小型外部組件
±0.5% 充電電壓準確度
在矢網分析儀與微波暗室中測試天線參數性能,天線效率與遠場增益。
由以上雙層2X2陣列的測試圖可以看出，該天線的匹配良好，帶寬1.2GHz,加上微波暗室測試時自帶電纜的1dB插損，10GHz處的增益為10.7dB。
一旦充電終止，LT3650-8.2 就自動進入可將輸入電源電流降至 85uA 的低電流備用模式。在停機時，輸入偏置電流降至 15uA。
(素材來源：eccn和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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