超薄高效MicroFET產品FDMA1027，一款20V P溝道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。

相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新產品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產品如手機的超薄外形尺寸需求。

FDMA1027和FDFMA2P853采用無鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產品均滿足歐盟有害物質限用指令 (RoHS) 的要求。

32.768K的時鐘晶體來做時鐘，而不是通過單片機的晶體分頻來做時鐘，其中原因想必很多人也不明白，其實上這是和晶體的穩定度有關：頻率越高的晶體，Q值一般難以做高，頻率穩定度也比較差；而 32.768K晶體在穩定度等各方面的性能表現都不錯，還形成了一個工業標準，比較容易做高。

另外值得一提的是，32.768K是16 bit數據的一半，預留最高1 bit進位標志，用作定時計數器內部數字計算處理也非常方便。

承受輸入到輸出4000VAC電壓，輸入到地1500VAC電壓，輸出到地500VAC。可工作在90---264VAC通用輸入，功率因子典型值是0.98.其它特性還包括PFD，遠程抑制，遠程傳感，過壓，過流和熱保護。器件在0°C---+50°C環境溫度，可以滿負載工作。

+50°C---+70°C開始從額定100%線性降低到50%。該系列具有高可靠性，以滿負載25°C環境每 MIL-HDBK-217F 具有300000小時最小MTBF。

TM650系列符合EN60601-1-2 EMC標準,包括EN55011 (class B導電, class A輻射),EN61000-3-2 class A與D,EN61000-4-2,EN61000-4-3,EN61000-4-5,EN61000-4-11。

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