嵌入式矢量處理器核將反饋電阻和補償元件芯片放置
發布時間:2021/12/25 18:03:57 訪問次數:799
多模能力的軟件調制解調平臺的TD-LTE（LTE，長期演進）端到端應用互通性測試。天碁科技的平臺采用先進的嵌入式矢量處理器核，最高可以實現150Mbps的下載速率和50Mbps的上傳速率,并支持TD-LTE/TD-HSPA/EDGE以及LTE FDD制式下的多種通信模式。
中國移動根據TD-SCDMA網絡的發展進程，已經提出了對于TD-LTE的標準需求。天碁科技針對中國移動要求的TD-LTE標準進行了設計研發，并與TD-LTE網絡供應商合作，在TD-LTE網絡上首次成功實現業界領先的基于可支持多模式通信的軟件調制解調平臺的端對端視頻流功能演示。
工藝 130納米CMOS
密度 128Mb
單元尺寸 0.252 μm2
讀/寫速率（帶寬） 1.6 GB/s（DDR2接口）
周期時間 83納秒
存取時間 43納秒
電源 1.8V
保持開關電流路徑較短，并盡量減少由輸入電容、高邊 MOSFET 和肖特基二極管形成的環路面積。
SW引腳和輸入電源地之間的肖特基二極管連接盡可能短而寬。
確保所有反饋連接都是短而直接的。 將反饋電阻和補償元件盡可能靠近芯片放置。
使SW遠離敏感的模擬區域，例如 FB。
將IN、SW、特別是GND分別連接到大面積的覆銅區域，為芯片散熱，提高散熱性能和長期可靠性。
(素材來源：eccn和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
多模能力的軟件調制解調平臺的TD-LTE（LTE，長期演進）端到端應用互通性測試。天碁科技的平臺采用先進的嵌入式矢量處理器核，最高可以實現150Mbps的下載速率和50Mbps的上傳速率,并支持TD-LTE/TD-HSPA/EDGE以及LTE FDD制式下的多種通信模式。
中國移動根據TD-SCDMA網絡的發展進程，已經提出了對于TD-LTE的標準需求。天碁科技針對中國移動要求的TD-LTE標準進行了設計研發，并與TD-LTE網絡供應商合作，在TD-LTE網絡上首次成功實現業界領先的基于可支持多模式通信的軟件調制解調平臺的端對端視頻流功能演示。
工藝 130納米CMOS
密度 128Mb
單元尺寸 0.252 μm2
讀/寫速率（帶寬） 1.6 GB/s（DDR2接口）
周期時間 83納秒
存取時間 43納秒
電源 1.8V
保持開關電流路徑較短，并盡量減少由輸入電容、高邊 MOSFET 和肖特基二極管形成的環路面積。
SW引腳和輸入電源地之間的肖特基二極管連接盡可能短而寬。
確保所有反饋連接都是短而直接的。 將反饋電阻和補償元件盡可能靠近芯片放置。
使SW遠離敏感的模擬區域，例如 FB。
將IN、SW、特別是GND分別連接到大面積的覆銅區域，為芯片散熱，提高散熱性能和長期可靠性。
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