AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管性能的影響已經被開始研究
發布時間:2022/1/3 14:48:16 訪問次數:267
作為提高電荷輸運特性的一種新方法，應變工程在現代器件技術中起著重要的作用。因此，利用應變調制遷移率，進而提高 HEMT 的性能顯得尤為重要。
近年來，應變對 AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管性能的影響已經被開始研究。
通過緊密束縛計算得到了GaN 有效質量的結果（+0.15%/100MPa），但其中并沒有涉及遷移率。建立了擴展的 sp3d5-sp3 經驗緊束縛模型，同時研究了平面雙軸應變對纖鋅礦GaN能帶結構的影響.
GCT半導體將MIPS AFE整合到高度集成的WiMAX 和WiFi單芯片和芯片組中，以滿足PC、PDA、手機和其它設備對無線寬帶通信功能的需求。
目前，已有數款GCT產品整合了MIPS AFE，包括GDM7215單芯片WiMAX和WiFi IC、GDM7205移動WiMAX 2.5 GHz Wave 2單芯片，以及GDM7201 WiMAX芯片組。
憑借擁有超過11年數據轉換IP內核設計經驗的工程團隊的支持，MIPS科技可實現主要應用于消費電子和通信應用的硬宏在SoC上的無縫整合。
諧波失真(THD)是指原有頻率的各種倍頻的有害干擾。
由于放大器不夠理想，放大1kHz的頻率信號時，可能會產生2kHz的2次諧波和3kHz及許多更高次的諧波，這些諧波會致使輸出波形失真走樣。這種因諧波引起的失真叫做諧波失真。
所謂虛擬儀器技術，就是利用高性能的模塊化硬件，結合高效靈活的軟件來完成各種測試、測量和自動化應用。
將NILabVIEW圖形化開發工具用于產品設計周期的各個環節，從而改善了產品質量，縮短了產品投放市場的時間，提高了產品開發和生產效率。
(素材來源：21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
作為提高電荷輸運特性的一種新方法，應變工程在現代器件技術中起著重要的作用。因此，利用應變調制遷移率，進而提高 HEMT 的性能顯得尤為重要。
近年來，應變對 AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管性能的影響已經被開始研究。
通過緊密束縛計算得到了GaN 有效質量的結果（+0.15%/100MPa），但其中并沒有涉及遷移率。建立了擴展的 sp3d5-sp3 經驗緊束縛模型，同時研究了平面雙軸應變對纖鋅礦GaN能帶結構的影響.
GCT半導體將MIPS AFE整合到高度集成的WiMAX 和WiFi單芯片和芯片組中，以滿足PC、PDA、手機和其它設備對無線寬帶通信功能的需求。
目前，已有數款GCT產品整合了MIPS AFE，包括GDM7215單芯片WiMAX和WiFi IC、GDM7205移動WiMAX 2.5 GHz Wave 2單芯片，以及GDM7201 WiMAX芯片組。
憑借擁有超過11年數據轉換IP內核設計經驗的工程團隊的支持，MIPS科技可實現主要應用于消費電子和通信應用的硬宏在SoC上的無縫整合。
諧波失真(THD)是指原有頻率的各種倍頻的有害干擾。
由于放大器不夠理想，放大1kHz的頻率信號時，可能會產生2kHz的2次諧波和3kHz及許多更高次的諧波，這些諧波會致使輸出波形失真走樣。這種因諧波引起的失真叫做諧波失真。
所謂虛擬儀器技術，就是利用高性能的模塊化硬件，結合高效靈活的軟件來完成各種測試、測量和自動化應用。
將NILabVIEW圖形化開發工具用于產品設計周期的各個環節，從而改善了產品質量，縮短了產品投放市場的時間，提高了產品開發和生產效率。
(素材來源：21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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