均衡互感器副邊電壓大小與相位均由負載電流差(r1-r2)決定

發布時間:2022/3/11 17:36:36 訪問次數:234

憑借卓越的邏輯和性能，Chronos芯片提供了更優的內存、動態范圍和探測精度。

作為DF系列車規級固態激光雷達的支柱，Chronos芯片旨在滿足ISO 26262和AEC-Q100下的ASIL-B汽車功能安全要求。 Ouster計劃在2022年底完成Chronos芯片流片，并在2023年將該芯片集成到首批樣品中，最終的DF系列將面向2025年量產車項目。

自Ouster成立以來，我們就知道數字VCSEL/SPAD技術將成為激光雷達的未來，引領四大垂直行業進入自動化時代。

因此,可將其看作空其勵磁電流很大,副邊忽略,所以載變壓器則副邊電壓的向,均衡互感器副邊電壓的大小正比于原邊電流,而VU=jXr-J1=j

2KI-rIB1

1J2△jX7rJ2=j(iu-(r2-r1)

式中:Xu一均衡互感器的勵磁電抗。

從上式可以看出,均衡互感器副邊電壓的大小與相位均由負載電流差(r1-r2)決定,且有叱1=-U2,當r1=I2時,有LJJ1=-U2=0。

用戶可以向上和向下垂直滑動，或用不同的強度和手指點擊來發出皮膚指令，如接聽電話、調整音量、媒體播放等。

如果是真正的無線耳塞，皮膚手勢可以通過觸摸耳朵前面或輕敲太陽穴來實現。同樣，在智能手表上，用戶可以在手腕、前臂或手背上輕掃來執行任務。這些設備將使用機器學習來區分用戶的有意手勢和自然動作。

從系統維度來看，邊緣智能就是將云的能力下沉到設備終端，在終端打造一個涵蓋網絡、計算、存儲、應用于一體的微型平臺，更高效地處理邊緣設備產生的數據。

而在邊緣端具備智能化能力之后，數據安全的防護體系需要重新構建。