D1保護LTC4381 VCC引腳的80V絕對最大額定值，而D2保護內部100V MOSFET不受雪崩影響。D1也將輸出鉗位電壓設置到66.5V(56V+10.5V)，以防不使用D2。R1和C1過濾VIN升高和下降。

如果有電容接近LTC4381限制電壓尖峰，低于80V，則VCC引腳可以直接連接至VIN。在這種情況下，可以取消使用D1、D2、R1和C1。

10A流過內部MOSFET時,LTC4381的初始壓降為90mV,功耗為900mW.在室溫環境下.這種功耗會使DC2713A-D評估板上LTC4381封裝溫度升高到約100°C,達到RDS(ON)的兩倍.且使壓降升高到180mV。

產品特點

隔離電壓5000VAC（滿足加強絕緣）

長期絕緣：1700VDC

效率高達87%

超小型SIP封裝

最大容性負載2200uF

超小隔離電容3.5pF(typ.)

工作溫度范圍：-40℃ to +105℃

PCIe 4.0 固態盤系列產品，提供不同的容量選擇、多元的外形尺寸和優化的性能。D7-P5520和 D7-P5620針對真實工作負載進行了優化，體現了Solidigm長期以來與領先云計算廠商、OEM廠商以及存儲領域創新者等開展深入技術交流所獲得的行業洞察。

D7-P5520和D7-P5620正是這些深刻洞察以及數代3D NAND 和PCIe 4.0產品迭代優化的結晶，讓我們能夠向客戶提供一流的產品，并創建固態存儲的全新范式。

輸入旁路電容可以幫助防止對48V電源產生任何干擾，特別是與其他電路板共享該電源時，例如背板。在后一種情況下，相鄰電路板的負載電容也起到與輸入旁路電容相同的作用。