MariSilicon X芯片，是一顆影像專用NPU，而非ISP。當前擁有兩顆芯片的影像旗艦手機并不少見，但像OPPO的MariSilicon X加持的這種方式，帶來了影像處理管道的革新。從芯片在影像處理管道的工作流程中的位置也可以得到其絕非普通ISP的印證。

MariSilicon X在設計之初就在追求實時RAW域處理的無損畫質。所以它更像一個有強大計算能力和數據吞吐能力的管道。它與其他ISP芯片的最大區別，是它工作在手機鏡頭與SoC之間，所以MariSilicon X每秒鐘都要承受超大規模的畫面信息的洪流。

在同類PMIC中，實現了業界超小尺寸。與以往產品相比，可減少3個元器件，安裝面積可縮減25%，有助于車載攝像頭的小型化。

此外，還可以進行更寬范圍的輸出電壓設置和時序控制設置，可滿足各制造商不同CMOS圖像傳感器的不同要求，有助于減少開發工時。

兩顆芯片之間的數據聯通能力提出了更高的要求。也讓MariSilicon X有能力為用戶帶來持續進行的影像能力,以及損耗更低的畫質；這顆自研芯片可以稱之為是影像能力的核心。

當ton改變電流Ic，在Vce維度看看ton引起的特性變化。

在相同Vce=800V、1000V條件下，不同電流Ic時電壓尖峰Vce_peak。從各自測試結果看，ton在小電流時，對電壓尖峰Vce_peak的影響比較小；當關斷電流增加話，窄脈沖關斷時容易出現電流突變，隨之引起高電壓尖峰。

ton在當Vce和電流Ic越高時對關斷過程影響越大，更容易出現電流突變現象。從測試看這個例子FF1000R17IE4，最小脈沖ton最為合理時間不要小于3us。