芯片中的內置電壓鉗位使每個能吸收30mJ(毫焦耳)的雪崩能量
發布時間:2022/9/28 8:14:20 訪問次數:283
8位移位寄存器STPIC6C595,有100mA驅動能力的低邊DMOS輸出晶體管,能驅動LED,繼電器和螺線管。STPIC6C595的導通電阻RDS(0n)為4歐姆,對感性負載能經受33V的尖峰輸出電壓。
STPIC6C595的邏輯部分有8位串行進并行出的移位寄存器,連接著8位D型存儲寄存器。
在25oC的外殼溫度,輸出電流限制在250mA.為了進一步保護,溫度較高時,最大允許電流會減小。芯片中的內置電壓鉗位使每個能吸收30mJ(毫焦耳)的雪崩能量。STPIC6C595也能經受住高達1.5KV(人體模擬)和200V(機器模擬)的ESD尖峰電壓。
STPIC6C595功率-邏輯8位移位寄存器額定工作溫度為-40度到+125度,有SO-16和TSSOP-16兩種封裝。
M41T0和M41T80的應用覆蓋對成本敏感的產品,其中包括白色家用電器、手機和個人數字助理等手持設備、電池供電的設備、多功能打印機、POS終端、工業設備、數碼相機和DVD視盤機,及其它消費品。
M41T0和M41T80集成了一個工業標準的400kHz I2C 串行接口,工作溫度在-40度到+85度的工業溫度范圍內,封裝采用節省空間的表面組裝封裝,電源電壓從2V到5.5V,電流量極小。
特別是,M41T0在待機時僅耗電900nA,在工作時僅35uA(均是在3.0V時的典型值)。M41T80在待機時僅耗電1.5uA(在3.0V時的典型值) ,在工作時僅30uA(在3.0V時的最大值)。
除計時功能外,M41T0還有一個可以檢測振蕩器何時開始下降的振蕩器停止位。
高速超小型大功率晶體管系列SA2071/2072和2SC5824/5825,它的速度比以前同樣封裝的提高了兩倍。此外,新晶體管由于放電電壓提高了五倍,安全工作范圍(SOA)大大提高了。
新型晶體管是微型MPT3和CPT3封裝,額定指標為電壓60V和電流3A。很適合用在汽車電子,光學存儲,DC/DC轉換器和開關電源。小型晶體管也特別適合用在手提設備,增加開關頻率能大大改善功率轉換的效率,有助延長電池壽命。
所有器件的上升時間和下降時間分別是30ns 和20ns。所有器件能工作在高達150°C,MPT3的耗散功率為500mW,CPT3則為1.0W。
8位移位寄存器STPIC6C595,有100mA驅動能力的低邊DMOS輸出晶體管,能驅動LED,繼電器和螺線管。STPIC6C595的導通電阻RDS(0n)為4歐姆,對感性負載能經受33V的尖峰輸出電壓。
STPIC6C595的邏輯部分有8位串行進并行出的移位寄存器,連接著8位D型存儲寄存器。
在25oC的外殼溫度,輸出電流限制在250mA.為了進一步保護,溫度較高時,最大允許電流會減小。芯片中的內置電壓鉗位使每個能吸收30mJ(毫焦耳)的雪崩能量。STPIC6C595也能經受住高達1.5KV(人體模擬)和200V(機器模擬)的ESD尖峰電壓。
STPIC6C595功率-邏輯8位移位寄存器額定工作溫度為-40度到+125度,有SO-16和TSSOP-16兩種封裝。
M41T0和M41T80的應用覆蓋對成本敏感的產品,其中包括白色家用電器、手機和個人數字助理等手持設備、電池供電的設備、多功能打印機、POS終端、工業設備、數碼相機和DVD視盤機,及其它消費品。
M41T0和M41T80集成了一個工業標準的400kHz I2C 串行接口,工作溫度在-40度到+85度的工業溫度范圍內,封裝采用節省空間的表面組裝封裝,電源電壓從2V到5.5V,電流量極小。
特別是,M41T0在待機時僅耗電900nA,在工作時僅35uA(均是在3.0V時的典型值)。M41T80在待機時僅耗電1.5uA(在3.0V時的典型值) ,在工作時僅30uA(在3.0V時的最大值)。
除計時功能外,M41T0還有一個可以檢測振蕩器何時開始下降的振蕩器停止位。
高速超小型大功率晶體管系列SA2071/2072和2SC5824/5825,它的速度比以前同樣封裝的提高了兩倍。此外,新晶體管由于放電電壓提高了五倍,安全工作范圍(SOA)大大提高了。
新型晶體管是微型MPT3和CPT3封裝,額定指標為電壓60V和電流3A。很適合用在汽車電子,光學存儲,DC/DC轉換器和開關電源。小型晶體管也特別適合用在手提設備,增加開關頻率能大大改善功率轉換的效率,有助延長電池壽命。
所有器件的上升時間和下降時間分別是30ns 和20ns。所有器件能工作在高達150°C,MPT3的耗散功率為500mW,CPT3則為1.0W。