一種移動DiskOnChip G3 512Mb閃存盤，它采用0.13um多級單元(MLC）NAND技術，在單一NAND存儲單元中能存儲兩位信息。由于采用先進的內置控制器和獨特的閃存媒體結構，移動DiskOnChip G3有增強的性能和無可匹敵的可靠性。

其封裝尺寸為85引腳的7x10x1.2mm FBGA，是業界最小的高容量非易失的存儲器，能存儲數據和代碼，內部總線32位，支持DMA(64KB)和多突發式存取時間25ns(80MB/s)，NOR類接口，容易使用，內核工作電壓3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗僅10uA，內置的2KB XIP引導區使它能完全替代NOR閃存。其它特性包括有突發模式讀速度高達80MBps。

該器件采用EDC/ECC和TrueFFS技術，以改善數據完整性。安全特性包括有16B獨特的ID號和6KB OTP區域，以縮短用戶和產品特別信息。

而同類競爭產品要以同樣的速度實現這些功能，則至少需要兩塊芯片，三個或多個封裝的器件。采用更少的芯片，降低電子成本，功耗和設備體積以及增加了可靠性。

通信量管理幫助控制存在于網絡處理器的信息流，以便最有效地使用能用的帶寬。通信量管理支持真正帶寬和延遲，保證有8192個排隊或更多的個別預定的通信流，為通信載體支持高增值服務級的協議是重要的。以太網MAC允許直接連接到以太網，這一世界上最受歡迎的數據通信方式。

STIL02-P5和STIL04-P5限流器設計成滿足這些要求。每種產品在單一封裝內都集成了兩種單向開關。該器件能克服可控硅(SCR)中噪音(dV/dt)免疫性和功率消耗間的傳統的折衷問題。

WARP2 IGBT在并聯工作時有極好的電流分享特性，如功率MOSFET一樣。和功率MOSFET不同，IGBT的導通損耗基本上保持平坦。