新一代Bluetooth®LE 無線連接SoC芯片，該芯片內置了ARM的M4處理器和DSP指令集，可進行OPUS 16:1高質量低碼率的語音編碼，實現高準確度的語音識別，同時高達10dbm發射功率，提高了在復雜射頻干擾環境下的藍牙傳輸穩定性。

秉承炬芯科技低功耗設計技術，在保證性能的同時，針對語言遙控器產品大大降低功耗，待機功耗低至100nA。Bluetooth®LE 保持連接功耗接近15μA@564ms，語音傳輸<3mA。

芯片集成了紅外發射驅動管和紅外自學習電路，精簡了遙控器方案外圍電路。更是創新性地在32引腳的封裝上實現了152鍵的矩陣掃描，可以用一顆芯片實現從十幾鍵的遙控器，到全鍵盤帶軌跡球的多種復雜遙控器方案。

兩顆用于無線充電發射的智能全橋芯片NU8015Q和NU8040Q，支持15W和40W無線充電輸出。

相較驅動器加獨立MOS管的方案，伏達集成功率級不僅具有集成度高的優勢，并且驅動器配合MOS管的方案，還需要分別進行AEC-Q100和AEC-Q101測試，伏達智能全橋還具有成本上的優勢。

伏達NU8015Q和NU8040Q均為無線充電發射端智能控制芯片，芯片內部集成全橋MOS管和驅動器等電路，其中NU8015Q支持最高15W無線充電輸出，支持4V-21V供電電壓范圍。NU8040Q支持40W無線充電輸出，支持4V-21V供電電壓范圍，支持-40℃到105℃環境溫度范圍。

伏達NU8015Q和NU8040Q均為無線充電發射端智能控制芯片，芯片內部集成全橋MOS管和驅動器等電路，其中NU8015Q支持最高15W無線充電輸出，支持4V-21V供電電壓范圍。NU8040Q支持40W無線充電輸出，支持4V-21V供電電壓范圍，支持-40℃到105℃環境溫度范圍。

TOLL封裝85V/360A超低通態電阻新品BLP02N08,具有導通電阻低,通流能力強,雪崩耐量高等特點：

導通電阻僅為1.2mΩ(Vgs=10V)，與主流競品相當

通流能力高達360A，與主流競品相當

EAS能力達到3025mJ，略高于主流競品

總柵極電荷量為240nC，略低于主流競品