AEC-Q101車規級器件具有深度回彈特性和0.27Ω低電阻特性
發布時間:2022/10/28 13:09:20 訪問次數:175
300mAh電池的手表，換裝W5+后，可以多用15小時。
同時，工藝從12nm提升到4nm也可謂是飛躍。目前市面上的高端智能手表芯片中，Apple Watch的S7為7nm，三星Galaxy Watch 4的Exynos W920是5nm。
芯片基本架構上，CPU部分采用4顆Cortex A53，最大1.7GHz，加上1顆Cortex M55(250MHz)協處理器，集成雙GPU，其中包括Adreno A702(1GHz)，最大支持16GB LPDDR4內存。
功能特性還有支持超低功耗藍牙5.3、雙頻GPS定位、北斗、4G網絡、雙頻Wi-Fi(802.11n)、eMMC 4.5等。
這些AEC-Q101車規級器件具有深度回彈特性和0.27Ω低電阻特性，可提高高速數據接口中的系統級穩健性和鉗位性能。
7A2000橋片首次集成龍芯自研的統一渲染架構GPU模塊，核心頻率400-500MHz，API圖形接口支持OpenGL 2.1、OpenGL ES 2.0。
RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關和電池管理效率。其卓越的性能還表現在自發熱降低，從而增強可穿戴設備的用戶舒適度。
在VGS=4.5V時，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。
因此，在市場上類似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導通電阻最低。此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護（人體模型–HBM）。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達4A。
300mAh電池的手表，換裝W5+后，可以多用15小時。
同時，工藝從12nm提升到4nm也可謂是飛躍。目前市面上的高端智能手表芯片中，Apple Watch的S7為7nm，三星Galaxy Watch 4的Exynos W920是5nm。
芯片基本架構上，CPU部分采用4顆Cortex A53，最大1.7GHz，加上1顆Cortex M55(250MHz)協處理器，集成雙GPU，其中包括Adreno A702(1GHz)，最大支持16GB LPDDR4內存。
功能特性還有支持超低功耗藍牙5.3、雙頻GPS定位、北斗、4G網絡、雙頻Wi-Fi(802.11n)、eMMC 4.5等。
這些AEC-Q101車規級器件具有深度回彈特性和0.27Ω低電阻特性，可提高高速數據接口中的系統級穩健性和鉗位性能。
7A2000橋片首次集成龍芯自研的統一渲染架構GPU模塊，核心頻率400-500MHz，API圖形接口支持OpenGL 2.1、OpenGL ES 2.0。
RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關和電池管理效率。其卓越的性能還表現在自發熱降低，從而增強可穿戴設備的用戶舒適度。
在VGS=4.5V時，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。
因此，在市場上類似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導通電阻最低。此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護（人體模型–HBM）。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達4A。
相關技術資料- 11-21業內首款HBM4控制器IP技術優勢及計算應用
- 11-21ARM Cortex-A系列處理器算法運算̴
- 11-21AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢詳情
- 11-21全球折疊屏柔宇顯示技術應用優勢及市場發展趨勢分析
- 11-21新一代服務器芯片 3C6000 系列發展優勢
- 11-21 80 TOPS 算力智能駕駛專用芯片
- 11-20高集成離線反激式開關 IC技術參數架構應用概述
- 11-20三通道雙向直流電源EA-PSB 20000 Triple̴
- 11-20新款USB PD3.1 EPR 240W技術參數標準及設計
- 11-20液晶顯示（LCD）面板和電視市場發展趨勢
- 11-20全新Arm v9架構集成5G基帶應用詳解
- 11-20定制芯片BYD 9000先進4nm制程工藝
公網安備44030402000607
