高速HVIC要求單電源電壓將進入邏輯電平門輸入轉換為高壓
發布時間:2022/10/31 13:26:56 訪問次數:212
Vcc電源通斷情況，IPS1025HF的通斷響應時間仍然小于60μs，確保安全保護系統達到指定的安全完整性等級(SIL)。支持8.65V至60V寬壓輸入，輸入引腳最高耐受電壓 65V，這款緊湊的器件能夠承受工業應用的惡劣工況。目標應用包括可編程邏輯控制器 (PLC)、自動售貨機、工廠自動化I/O外圍設備和計算機數控(CNC)機床的電源控制。
智能功率開關系列中類似的單通道和雙通道產品一樣，IPS1025HF也有兩個可編程限流設置，允許用戶在功率開關激活時設置一個高限流值，從而提高負載驅動的靈活性，例如，燈泡、電機和電容負載等應用需要很高的初始峰值電流。
輸出級是一個在環境溫度下導通電阻Rds(on)典型值12.5mOhm的N溝道功率MOSFET，確保開關高能效，低熱耗散。
得益于創新的灌封材料，新的HY型號能夠在更廣泛的溫度范圍內以超低泄漏率實現真空密封。
同時優化了PCB的尾端，即使是高密度的針芯配置也能更輕松地進行 PCB 布線。接地腳也得到了改進，現在可以使用標準接地針或特殊的抗振螺紋孔進行固定。
卡入式端子的新型EDLC超級電容（雙電層電容）。WCAP-SISC系列有100F和350F兩種容量，是有高功率和高能量需求，例如UPS和儲能產品的完美解決方案。它們可用于智能計量儀器、網絡設備和能量收集等，額定電流高達75A。
6個IGBT采用三相橋式配置，下段具有獨立的發射極連接腳，這種設計在選擇控制算法時具有較大的靈活性。并且其內置的高速HVIC僅要求單電源電壓，并將進入的邏輯電平門輸入轉換為高壓、大電流驅動信號，以便能正常驅動模塊的內置IGBT。
VLMU35CR40-275-120和VLMU35CR41-275-120基于AlGaN技術，專門用來取代低壓UVC水銀燈，特別適合器件小型化緊湊設計。
來源：eepw.如涉版權請聯系刪除。圖片供參考
Vcc電源通斷情況，IPS1025HF的通斷響應時間仍然小于60μs，確保安全保護系統達到指定的安全完整性等級(SIL)。支持8.65V至60V寬壓輸入，輸入引腳最高耐受電壓 65V，這款緊湊的器件能夠承受工業應用的惡劣工況。目標應用包括可編程邏輯控制器 (PLC)、自動售貨機、工廠自動化I/O外圍設備和計算機數控(CNC)機床的電源控制。
智能功率開關系列中類似的單通道和雙通道產品一樣，IPS1025HF也有兩個可編程限流設置，允許用戶在功率開關激活時設置一個高限流值，從而提高負載驅動的靈活性，例如，燈泡、電機和電容負載等應用需要很高的初始峰值電流。
輸出級是一個在環境溫度下導通電阻Rds(on)典型值12.5mOhm的N溝道功率MOSFET，確保開關高能效，低熱耗散。
得益于創新的灌封材料，新的HY型號能夠在更廣泛的溫度范圍內以超低泄漏率實現真空密封。
同時優化了PCB的尾端，即使是高密度的針芯配置也能更輕松地進行 PCB 布線。接地腳也得到了改進，現在可以使用標準接地針或特殊的抗振螺紋孔進行固定。
卡入式端子的新型EDLC超級電容（雙電層電容）。WCAP-SISC系列有100F和350F兩種容量，是有高功率和高能量需求，例如UPS和儲能產品的完美解決方案。它們可用于智能計量儀器、網絡設備和能量收集等，額定電流高達75A。
6個IGBT采用三相橋式配置，下段具有獨立的發射極連接腳，這種設計在選擇控制算法時具有較大的靈活性。并且其內置的高速HVIC僅要求單電源電壓，并將進入的邏輯電平門輸入轉換為高壓、大電流驅動信號，以便能正常驅動模塊的內置IGBT。
VLMU35CR40-275-120和VLMU35CR41-275-120基于AlGaN技術，專門用來取代低壓UVC水銀燈，特別適合器件小型化緊湊設計。
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