節點設計幫助芯片制造商實現多重曝光技術和EUV光刻工藝寬容度
發布時間:2023/7/17 20:40:31 訪問次數:187
先進制程,如7nm和5nm等設計節點,芯片制造商想要找到產品上的疊對誤差、線寬尺寸不均勻和易失效點(Hotspots)的明確起因將變得越來越困難。
KLA-Tencor最近就推出了5款圖案成型控制系統,主要針對7nm以下的邏輯和尖端內存設計節點設計,以幫助芯片制造商實現多重曝光技術和EUV光刻所需的嚴格工藝寬容度。
這五款系統將為我們的客戶提供KLA-Tencor最尖端的技術,幫助他們降低由每個晶圓、光罩和工藝步驟所導致的圖案成型誤差,從制程的源頭進行控制,及早發現錯誤,避免造成更大的損失。
支持PCI-E 3.0x4通道/NVMe 1.2協議,并通過StarLDPC ECC引擎,支持3D TLC在內的主流商用NAND閃存,實現了從主機到顆粒之間的高速傳輸。
通過XTS-AES256引擎實現了實時數據加密,支持TCG OPAL,利用硬件TRNG、SHA256與RSA等的安全引導。
由于電橋出來的信號是查分信號且信號較小,所以要通過差分運放將其放大后再送入單片機進行AD采集,本方案選用AD623作為差分運放芯片,這是一顆軌到軌的運放,即能輸出的最大電壓為供電電壓。
產品分別為ATL疊對良測系統和SpectraFilm™F1薄膜量測系統,他們可以針對FinFET、DRAM、3D NAND和其他復雜器件結構的制造提供工藝表征分析和偏移監控。
5D Analyzer®X1先進數據分析系統提供開放架構的基礎,以支持晶圓廠量身定制分析和實時工藝控制的應用。
CAN使用均衡的差分信令來發送波特率,高達1Mbps(或者更高,前提是使用“靈活數據速率”變量)的二進制數據。理想情況下,差分信令的使用避免了所有外部噪聲耦合。
由于每一半差分對(被稱為CANH和CANL)在變化時是對稱的,它們的噪聲帶來的干擾是具有破壞性的。
先進制程,如7nm和5nm等設計節點,芯片制造商想要找到產品上的疊對誤差、線寬尺寸不均勻和易失效點(Hotspots)的明確起因將變得越來越困難。
KLA-Tencor最近就推出了5款圖案成型控制系統,主要針對7nm以下的邏輯和尖端內存設計節點設計,以幫助芯片制造商實現多重曝光技術和EUV光刻所需的嚴格工藝寬容度。
這五款系統將為我們的客戶提供KLA-Tencor最尖端的技術,幫助他們降低由每個晶圓、光罩和工藝步驟所導致的圖案成型誤差,從制程的源頭進行控制,及早發現錯誤,避免造成更大的損失。
支持PCI-E 3.0x4通道/NVMe 1.2協議,并通過StarLDPC ECC引擎,支持3D TLC在內的主流商用NAND閃存,實現了從主機到顆粒之間的高速傳輸。
通過XTS-AES256引擎實現了實時數據加密,支持TCG OPAL,利用硬件TRNG、SHA256與RSA等的安全引導。
由于電橋出來的信號是查分信號且信號較小,所以要通過差分運放將其放大后再送入單片機進行AD采集,本方案選用AD623作為差分運放芯片,這是一顆軌到軌的運放,即能輸出的最大電壓為供電電壓。
產品分別為ATL疊對良測系統和SpectraFilm™F1薄膜量測系統,他們可以針對FinFET、DRAM、3D NAND和其他復雜器件結構的制造提供工藝表征分析和偏移監控。
5D Analyzer®X1先進數據分析系統提供開放架構的基礎,以支持晶圓廠量身定制分析和實時工藝控制的應用。
CAN使用均衡的差分信令來發送波特率,高達1Mbps(或者更高,前提是使用“靈活數據速率”變量)的二進制數據。理想情況下,差分信令的使用避免了所有外部噪聲耦合。
由于每一半差分對(被稱為CANH和CANL)在變化時是對稱的,它們的噪聲帶來的干擾是具有破壞性的。