電流控制體器件，它的主要作用是把微弱信號放大，輸入阻抗低，在基極b給一個很小的電流Ib，在集電極c上得到一個比較大的電流Ic。

它是電流放大器件，但是在實際時候通常通過一個電阻將三極管的電流放大作用轉變為電壓放大作用，因此，只要電路參數設置合適，一般輸出電壓可以比輸入電壓高很多倍。它有三個工作狀態：截止狀態、放大狀態、飽和狀態。

隨著bit數量的增加，帶來的好處是同樣規模的顆粒可以存儲更多的數據，從而實現SSD容量上的大規模提升。而這樣帶來的副作用是更繁瑣的尋址帶來的快速老化和同容量下更低的性能。

三極管一般是弱電中使用，而且出現在開關作用、電流放大作用，例如蜂鳴器驅動、數碼管驅動、直流小風扇驅動等方面。如果由于單片機I/O口驅動能力有限，可以加三極管擴大驅動電流,場效應管是電壓控制器件，它是繼三極管之后的新一代放大元件，場效應晶體管可分為耗盡型效應晶體管和增強型效應晶體管，同時又有N溝道和P溝耗盡型之分。

場效應管一般用于開關作用，有開關用以及有功率用。特別是電機、開關電源等，應用場合一般都是出現在需要耐壓高、耐電流大、頻率特性高的時候。

按接線，電流互感器的一次側首端為P1，末端為P2，如果是穿心式則直接把電線按電流的流向：自P1流向P2穿過。用萬用表測量出同一二次繞組的兩個接線端，然后把機械式萬用表打到DCmA電流檔，進行接線，一定要注意電流的流向P1→P2。

NAND閃存的基礎單元被稱作Cell，如果每個Cell只存儲一個bit的數據也就是傳統的SLC（Single-Level Cell ）顆粒，如果存儲2bit數據則稱為MLC（Multi-Level Cell）顆粒，以此類推，TLC（Trinary-Level Cell）則為3bit，而QLC每個Cell中的數據達到了4bit。

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