單芯片器件可延長電池壽命降低物料清單成本并增強系統可靠性
發布時間:2023/9/9 15:59:10 訪問次數:139
Ultrabook™設備和筆記本等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰，以滿足更薄的低側高終端系統要求。
第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N，這是經全面優化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅動器功率級解決方案，用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應用。
FDMF6708N集成了一個驅動器IC、兩個功率MOSFET和一個自舉肖特基二極管，采用熱性能增強型6x6mm2 PQFN Intel®DrMOS v4.0標準封裝。
通過將一個高效的32位處理器內核嵌入到一片PMIC之中，我們推進了系統電源設計的界限，并為全世界的智能手機的設計帶來了精準的數字控制。
Dialog的PMIC使得制造商能夠快速而容易地將帶有優化電源的智能手機和平板電腦推向市場。高度集成和可配置的單芯片器件可延長電池壽命、降低物料清單成本并增強系統的可靠性。
ARM Cortex-M0處理器是可用的、面積最小且功耗最低的ARM內核。其超常的低功耗及較小的芯片面積和內存占用使它成為了超低功耗MCU和混合信號應用的理想選擇。
FDMF6708N可讓設計人員節省50%的占位面積，同時提供高開關頻率和高功率密度。該器件的過零檢測(ZCD)功能改善了輕負載效率，延長了電池壽命。
與傳統分立解決方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™技術以及具有更低源極電感的clip-bond封裝，在滿負載下提供高效率。
而傳統分立解決方案需要更大的PCB空間、更長的布局走線、更厚的電感，以及更多的元件，因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
Ultrabook™設備和筆記本等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰，以滿足更薄的低側高終端系統要求。
第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N，這是經全面優化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅動器功率級解決方案，用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應用。
FDMF6708N集成了一個驅動器IC、兩個功率MOSFET和一個自舉肖特基二極管，采用熱性能增強型6x6mm2 PQFN Intel®DrMOS v4.0標準封裝。
通過將一個高效的32位處理器內核嵌入到一片PMIC之中，我們推進了系統電源設計的界限，并為全世界的智能手機的設計帶來了精準的數字控制。
Dialog的PMIC使得制造商能夠快速而容易地將帶有優化電源的智能手機和平板電腦推向市場。高度集成和可配置的單芯片器件可延長電池壽命、降低物料清單成本并增強系統的可靠性。
ARM Cortex-M0處理器是可用的、面積最小且功耗最低的ARM內核。其超常的低功耗及較小的芯片面積和內存占用使它成為了超低功耗MCU和混合信號應用的理想選擇。
FDMF6708N可讓設計人員節省50%的占位面積，同時提供高開關頻率和高功率密度。該器件的過零檢測(ZCD)功能改善了輕負載效率，延長了電池壽命。
與傳統分立解決方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™技術以及具有更低源極電感的clip-bond封裝，在滿負載下提供高效率。
而傳統分立解決方案需要更大的PCB空間、更長的布局走線、更厚的電感，以及更多的元件，因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。
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