內部時鐘與外部時鐘有偏差造成因數據不同步而產生錯誤的惡果
發布時間:2023/9/15 18:51:09 訪問次數:123
DDR SDRAM的tAC就是因為內部時鐘與外部時鐘有偏差而引起的，它很可能造成因數據不同步而產生錯誤的惡果。
實際上，不同步就是一種正/負延遲，如果延遲不可避免，那么若是設定一個延遲值，如一個時鐘周期，那么內外時鐘的上升與下降沿還是同步的。鑒于外部時鐘周期也不會絕對統一，所以需要根據外部時鐘動態修正內部時鐘的延遲來實現與外部時鐘的同步，這就是DLL的任務。
安裝且并了的簡化DSP的芯科IC，這讓該產品在全球范圍可以通用；Full-shield架構改進了抗噪聲性能。
除標準采用QFP（Quad flat package）封裝外，40pin及48pin產品采用QFN（Quad flat no lead）封裝，產品尺寸分別為6mmｘ6mm及7mmｘ7mm（0.75mm厚），與32位產品（100pinQFP，14mmｘ14mm）相比，外部引腳數量減少一半，封裝厚度縮小46%，封裝面積最多減少82%。
此外，可與V850ES/Jx3已有產品互換，優化了功能與電路。
在V850系列中，20MHz到200MHz采用統一架構。因而便于整機廠商在擴充產品線時沿用已有的開發軟件，縮短開發周期，壓縮開發成本。
每一顆芯片都有一個DQS信號線，它是雙向的，在寫入時它用來傳送由北橋發來的DQS信號，讀取時，則由芯片生成DQS向北橋發送。完全可以說，它就是數據的同步信號。
由于是并行傳輸，DDR內存對tAC也有一定的要求，對于DDR266，tAC的允許范圍是±0.75ns，對于DDR333，則是±0.7ns，有關它們的時序圖示見前文，其中CL里包含了一段DQS的導入期。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
DDR SDRAM的tAC就是因為內部時鐘與外部時鐘有偏差而引起的，它很可能造成因數據不同步而產生錯誤的惡果。
實際上，不同步就是一種正/負延遲，如果延遲不可避免，那么若是設定一個延遲值，如一個時鐘周期，那么內外時鐘的上升與下降沿還是同步的。鑒于外部時鐘周期也不會絕對統一，所以需要根據外部時鐘動態修正內部時鐘的延遲來實現與外部時鐘的同步，這就是DLL的任務。
安裝且并了的簡化DSP的芯科IC，這讓該產品在全球范圍可以通用；Full-shield架構改進了抗噪聲性能。
除標準采用QFP（Quad flat package）封裝外，40pin及48pin產品采用QFN（Quad flat no lead）封裝，產品尺寸分別為6mmｘ6mm及7mmｘ7mm（0.75mm厚），與32位產品（100pinQFP，14mmｘ14mm）相比，外部引腳數量減少一半，封裝厚度縮小46%，封裝面積最多減少82%。
此外，可與V850ES/Jx3已有產品互換，優化了功能與電路。
在V850系列中，20MHz到200MHz采用統一架構。因而便于整機廠商在擴充產品線時沿用已有的開發軟件，縮短開發周期，壓縮開發成本。
每一顆芯片都有一個DQS信號線，它是雙向的，在寫入時它用來傳送由北橋發來的DQS信號，讀取時，則由芯片生成DQS向北橋發送。完全可以說，它就是數據的同步信號。
由于是并行傳輸，DDR內存對tAC也有一定的要求，對于DDR266，tAC的允許范圍是±0.75ns，對于DDR333，則是±0.7ns，有關它們的時序圖示見前文，其中CL里包含了一段DQS的導入期。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
