開關頻率在250kHz至2.2MHz范圍內是用戶可編程的，從而使設計師能夠優化效率，同時避開關鍵噪聲敏感頻段。

每個集成的跟蹤LDO都有一個準確和高達200mA的可編程限流值，以確保提供更高級別的可靠性。跟蹤LDO的高準確度使這些LDO非常適合給ADC和傳感器供電。盡管這些LDO可以由獨立輸入供電，但是用主開關輸出給它們供電可以同時實現高效率和低噪聲。

耐熱增強型MSOP-16E封裝與高開關頻率相結合，可組成占板面積緊湊的高熱效率解決方案。

LT3668的主開關采用了高效率600mA開關，必要的振蕩器、控制和邏輯電路集成在單一芯片中。

兩種型號的硅基TFET，一種面向具有超低泄漏電流和優化導通電流的邏輯電路，另一種面向具有極低晶體管特性偏差的SRAM電路。兩種型號均使用垂直型隧穿操作，以增強隧穿屬性。

邏輯TFET使用精確控制的外延材料生長工藝確保使用碳和摻磷硅(phosphorus doped Si)的隧道結形成過程。這里提及的硅/硅鍺(SiGe)結也已被全面評估，以確保優化配置。

因此，該設備的導通電流相比于硅TFET高兩個數量級，而且N型和P型TFET的超低關態電流相同。對于SRAM型號的TFET開發，提出新穎的TFET運行架構，無需形成結構化隧道結。它可消除工藝變異性，并顯著抑制晶體管的特性偏差。

高度的靈活性，可將任何微控制器(MCU)與CC3100解決方案配合使用，或通過CC3200的集成式用戶專用可編程ARM®Cortex®-M4 MCU，允許客戶添加自己的代碼。

Wi-Fi為IoT應用提供穩健性,互操作性和無處不在連通性,這些解決方案是Wi-Fi促進IoT發展最佳范例。

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