接通下臂中的器件以通過虛線的路徑從下臂的電源對電容C充電
發布時間:2024/7/7 21:51:19 訪問次數:716
當使用MOSFET驅動由上下橋臂構成的H橋、三相逆變器或類似的電路時，上橋臂和下橋臂的電源必須彼此隔離。
驅動MOSFET的下臂的電源可以共用。因此,H橋需要三個電源，而三相橋需要四個電源。
電荷泵由振蕩電路、二極管和電容組成。電荷泵每一級提升的電壓存儲在電容器中。
當MOSFET由上下橋臂構成時，點荷泵可用于驅動高邊。與自舉電路不同，電荷泵對輸出器件的占空比沒有任何限制。
PCA82C250與AT89C55的硬件連接比MAX485與AT89C55的硬件連接還要簡單，因為，PCA82C250的通信過程無需接收與發送的硬件轉換控制，僅由軟件來控制接浮時，CAN總線表現為“隱性”位數值，即CANH和CANL為懸浮態(VCAHN≈CANL≈VCC/2，相當于關閉總線)，這為具有“休眠”功能的系統提供了網絡安全保障。
顯然，在多主機條件下，“顯性”位和“隱性”位的引入，可在總線上實現非破壞性總線仲裁，以裁決哪一個主設備應是下一個占有總線的設備。CC2541F256RHAR
由二極管和電容器組成的自舉電路可以用來代替浮地電源。當MOSFET由逆變器或類似電路的上臂和下臂驅動時，可以在每個相中使用自舉電容C，而不是浮置電源。
最初，必須接通下臂中的器件以通過虛線的路徑從下臂的電源對電容C充電。下臂MOSFET每次導通時，電容C通過該路徑充電。
由于上臂器件的占空比與電容C上存儲的電荷量有一定的關系，因此上臂的占空比存在限制。與輸出電壓的情況一樣，上臂的柵極電壓波動使其對噪聲敏感。因此，在設計上臂門電路時應謹慎。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司
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