一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更環保的電子器件。兩款新型 ICeGaN™產品系列GaN功率IC封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經過充分驗證的DFN封裝，堅固可靠。

DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10mm，并采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，在設計上具有靈活性。

在頂部尤其是雙側冷卻配置中，性能優于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設計，有助于優化PCB布局和簡單并聯，使客戶能夠輕松處理高達6千瓦的應用。

新品可應對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求，且無需復雜的冷卻系統即可運行，加速從電磁式斷路器向基于半導體的固態斷路器（SSCB）的轉型。

隨著UJ4N075004L8S的推出，Qorvo將繼續領導SiC電源產品的創新，以超小型元件封裝的超低導通電阻FET器件助力電路保護等應用的發展。

其最新款JFET還能承受高瞬時結溫而不發生性能劣化或參數漂移。JFET的常開特性使其能無縫集成到默認導通狀態的系統中，并在故障條件下轉為關斷狀態。

1200V碳化硅（SiC） MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，有30、40、60和80mΩ RDSon值可供選擇。

3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品,它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80mΩ且封裝靈活的器件。

Omnix®6000 ECHO HPPA系列（非食品接觸）——性能優于聚酰胺PA6或PA66基材材料，質量平衡分配法生產，其再生材料含量高達83%，可將產品碳足跡降低45%。

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