D2PAK-7等SMD封裝的高性能SiC開關日益增長的需求，這種開關在電動汽車（EV）充電（充電樁）、不間斷電源（UPS）以及太陽能和儲能系統（ESS）逆變器等各種工業應用中越來越受歡迎。

將SiC寬帶隙半導體的能效和電氣性能推向了新的高度，同時還提高了該技術的未來生產能力，以滿足不斷增長的市場需求。

RDSon是SiC MOSFET的一個關鍵性能參數，因為它會影響傳導功率損耗。然而，許多制造商只關注標稱值，而忽略了一個事實，即隨著設備工作溫度的升高，RDSon相比室溫下的標稱值可能會增加100%以上，從而造成相當大的傳導損耗。

嚴格的閾值電壓VGS(th)規格使這些MOSFET分立器件在并聯時能夠提供平衡的載流性能。

此外，較低的體二極管正向電壓（VSD）有助于提高器件穩健性和效率，同時還能放寬對續流操作的死區時間要求。

SSCB市場正迅速增長，Qorvo的最新產品是這一技術演進中的重要里程碑。

Qorvo的JFET器件堅固耐用，能夠在電路故障時承受極高的浪涌電流并實現關斷，非常適合應對電路保護領域的挑戰。

Nexperia發現這也是造成目前市場上許多SiC器件的性能受限的因素之一，SiC MOSFET采用了創新型工藝技術特性，實現了業界領先的RDSon溫度穩定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDSon的標稱值僅增加38%。

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