LPD模塊具有耐久、安全的性能優勢，性價比超國外產品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發電等領域。

碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產品應用、驅動、系統方案詳解2024.pdf (3.48 MB)

SiC MOSFET作為第三代功率半導體器件，以其阻斷電壓高、工作頻率高，耐高溫能力強、通態電阻低和開關損耗小等特點成為當前最具市場前景的半導體產品之一，正廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、無線電能傳輸等領域。

完善的安全控制策略及CPU保護策略(CPU protect policy)提高容錯能力，保證網絡的穩定運行和鏈路的負載均衡；

設備支持自動DoS攻擊防范和SNMP，IEEE 802.1，生成樹和快速生成樹協議、鏈路聚合等功能。高級安全功能和高級服務質量（QoS），可用作核心，分布或接入層交換機，具有高端口密度，易管理性。

全新LPD碳化硅三相全橋模塊2.5nH超低電感驚艷亮相:該模塊采用創新封裝和三相全橋設計，內置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。

全新PSoC™ 6 AI評估套件提供了構建智能消費、智能家居和物聯網應用所需的全部工具。該解決方案能夠在傳感器數據源旁執行推理，與以云計算為中心的解決方案架構相比，它能夠為用戶帶來更佳的實時性能和能效等優勢。

PSoC 6外形小巧，尺寸為35mmx45mm，成本更低且集成了多種傳感器和連接功能，非常適合本地數據采集、快速原型開發、模型評估和解決方案創建。

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