執行三相功率分析頻譜視圖功能實現與時域波形同步多通道頻譜分析
發布時間:2024/9/23 13:18:37 訪問次數:524
1200V和2000V MOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H碳化硅(SiC)MOSFET技術。
封裝使SiC能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用,而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。
相比傳統的62mm IGBT模塊,其應用范圍現已擴展至太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率轉換系統等。
4系列B MSO具有多達6個輸入信道,非常適合執行三相功率分析,且其特有的頻譜視圖功能可以實現與時域波形同步的多通道頻譜分析。
除了提升前面板的操作效率之外,經過升級的處理器系統還能夠提升遠程操作的速度。
使用高頻電流、微波輻射和激光進行熱療以代替外科手術越來越受到醫學界的關注,而且傳感器的小尺寸在醫學應用中是非常重要的,因為小的尺寸對人體組織的傷害較小,光纖溫度傳感器而正是目前為止能夠做到的最小的溫度傳感器。
面向汽車應用的隔離器能夠在I級環境溫度條件下有效工作,可承受低至-40°C和高至+125°C的溫度,充分體現出它們的耐用性。
此外,其引腳之間相互兼容,增加了電源的穩定性,進而提高了整個系統的可靠性。
這些隔離器善于在寬電源電壓范圍內最大限度地降低信號噪聲,其精確的定時性能和兼容性有助于實現高功率密度的設計.半導體元器件級和系統級認證簡化了安全認證過程并加快了產品上市速度,使得ISOFACE數字隔離器成為穩健、高效電子系統的理想選擇。
深圳市恒凱威科技開發有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
1200V和2000V MOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H碳化硅(SiC)MOSFET技術。
封裝使SiC能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用,而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。
相比傳統的62mm IGBT模塊,其應用范圍現已擴展至太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率轉換系統等。
4系列B MSO具有多達6個輸入信道,非常適合執行三相功率分析,且其特有的頻譜視圖功能可以實現與時域波形同步的多通道頻譜分析。
除了提升前面板的操作效率之外,經過升級的處理器系統還能夠提升遠程操作的速度。
使用高頻電流、微波輻射和激光進行熱療以代替外科手術越來越受到醫學界的關注,而且傳感器的小尺寸在醫學應用中是非常重要的,因為小的尺寸對人體組織的傷害較小,光纖溫度傳感器而正是目前為止能夠做到的最小的溫度傳感器。
面向汽車應用的隔離器能夠在I級環境溫度條件下有效工作,可承受低至-40°C和高至+125°C的溫度,充分體現出它們的耐用性。
此外,其引腳之間相互兼容,增加了電源的穩定性,進而提高了整個系統的可靠性。
這些隔離器善于在寬電源電壓范圍內最大限度地降低信號噪聲,其精確的定時性能和兼容性有助于實現高功率密度的設計.半導體元器件級和系統級認證簡化了安全認證過程并加快了產品上市速度,使得ISOFACE數字隔離器成為穩健、高效電子系統的理想選擇。
深圳市恒凱威科技開發有限公司http://szhkwkj.51dzw.com