ZIPTRONIX對5層CMOS和光電二極管進行封裝
發布時間:2007/8/15 0:00:00 訪問次數:434
來源：技術在線
美國Ziptronix與RaytheonVisionSystems（RVS）合作，對5層CMOS元件和光電二極管進行了3維層疊。在層疊時，采用了Ziptronix開發的名為“Directbondinterconnect（DBI）”的3維封裝技術。
采用DBI技術，在芯片與晶圓、晶圓與晶圓接合時，也可在室溫下實現3維封裝。布線間距在10μm以下，布線寬度為2μm左右。此次在形成有CMOS元件的晶圓上，層疊了RVS公司的芯片。布線間距為8μm。可在確保接合部連接性的同時，通過所有光電二極管獲取圖像。
來源：技術在線
美國Ziptronix與RaytheonVisionSystems（RVS）合作，對5層CMOS元件和光電二極管進行了3維層疊。在層疊時，采用了Ziptronix開發的名為“Directbondinterconnect（DBI）”的3維封裝技術。
采用DBI技術，在芯片與晶圓、晶圓與晶圓接合時，也可在室溫下實現3維封裝。布線間距在10μm以下，布線寬度為2μm左右。此次在形成有CMOS元件的晶圓上，層疊了RVS公司的芯片。布線間距為8μm。可在確保接合部連接性的同時，通過所有光電二極管獲取圖像。
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