ramtron international corporation推出業界首款2兆位 (mb) 串行f-ram存儲器，采用8腳tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封裝。fm25h20 采用先進的130納米 (nm) cmos工藝生產，是高密度的非易失性f-ram存儲器，以低功耗操作，并備有高速串行外設接口 (spi)。該3v、2mb串行f-ram器件以最大的總線速度寫入，具有幾乎無限的耐用性，通過微型封裝提供更大的數據采集能力，使系統設計人員能夠在計量和打印機等高級應用中減少成本和板卡空間。

　　fm25h20是串行閃存的理想替代產品，用于要求低功耗和最小板卡空間的精密電子系統中，包括便攜式醫療設備如助聽器等，它們實際上是微型數據處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與閃存相比，f-ram的優勢包括大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比閃存高出多個數量級。

　　fm25h20是256k x 8位非易失性存儲器，以高達40mhz的總線速度進行讀寫操作，具有幾乎無限的耐用性、10年的數據保存能力，以及低工作電流。該器件設有工業標準spi接口，優化了f-ram的高速寫入能力。fm25h20還備有軟件和硬件寫保護功能，能避免意外的寫入與數據損壞。

　　該2mb串行f-ram以低功耗工作，在40mhz下讀/寫操作的耗電低于10ma，待機狀態下耗電為80µa (典型值)，超低電流睡眠模式下耗電為3µa (典型值)。fm25h20與同等串行閃存器件接腳兼容，并且具備快速存取、高耐用性和低工作電流等特性，比較閃存更為優勝。該器件在整個工業溫度范圍內 (-40℃ 至+85℃) 于2.7至3.6v電壓下工作。

　　fm25h20以德州儀器公認的130納米 (nm) cmos制造工藝為基礎。在標準cmos 130 nm邏輯工藝內嵌入非易失性f-ram模塊，僅使用了兩個額外的掩模步驟。

　　fm25h20現提供樣品，并采用符合rohs要求的8腳tdfn封裝，與8腳soic封裝器件占位面積兼容。