一般的二極管是利用pn結的單方向導電的特性，而肖特基二極管則是利用金屬和半導體面接觸產生的勢壘（barrier）整流作用，這個接觸面稱為“金屬半導體結”，其全名應為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。現有肖特基二極管大多數是用硅（si）半導體材料制作的。20世紀90年代以來，出現了用砷化鎵（gaas）制作sbd。si-sbd的特點是：正向壓降pn結二極管的udf低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10 ns數量級；適用于低電壓（小于50 v）的功率電子電路中（當電路電壓高于100 v以上時，則要選用piv高的sbd，其正向電阻將增大許多）。此外，sbd是根據漂移現象產生電流的，不會積累，也無須移去多余的載流子，因此也就不存在正向恢復或反向恢復現象。這就是sbd的莎ⅱ很小的緣故。輸出電壓為4～5v的開關轉換可以選用piv為25 v或45 v的si－sbd。例如1n6492、ln639l、1n6392等。sbd的缺點是：反向漏電流比普通二極管大得多，如圖1所示的二極管伏安特性比較。這是因為si－sbd的結電容較大的緣故，如usd45型si－sbd的結電容約為4700 pf，而ufrd的結電容僅為5～150 pf，gaas－sbd的結電容也只有100～500 pf。

圖1 二極管伏安特性的比較

　　有關各種快速開關二極管的參數見表1～表3c。

　　表1 幾種典型功率二極管的主要參數

　　表2 si-sbd和ufrd參數級別的比較（1級最高）

　　表3 ufrd和si-sbd、gaas－sbd的主要參數

　　gaas-sbd的反向恢復時間不大于10ns。適用于高頻、高速動作的電路及電壓稍高的電路，現已經實用化。例如，日本生產的gaas－sbd，其參數規格有：2.5～7 a，150～180 v（uf＝0.9 v，trr＝7～10 ns，ir＝1～3ma），以及ia，350 v（uf＝1.5 v，trr＝5 ns，ir＝1 ma）。

　　此外，gaas－sbd的其他特點還有：開關噪聲小，溫度穩定性好（結溫可達－ 40～150℃）。

　　如圖6所示為gaas－sbd（piv＝180 v）、si－sbd（piv＝90v）與frd（piv＝200 v）三種功率開關二極管的反向恢復過程中電流波形的比較。由圖可知，與后兩種二極管比較gaas－sbd的反向恢復時間短，反向電流峰值小。

　　圖6 三種功率開關二極管電流反向恢復過程的波形zd＝r（t）比較

　　表1是各種典型功率（整流）二極管的主要參數比較表。表2及表3比較了

　　u_frd、si-s_bd和g_aa_s-s_bd的參數。在表3中di/dr＝100 a/_pts，f＝100 khz。

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