IR4010的RF變頻控制型
發布時間:2008/10/16 0:00:00 訪問次數:504
ir4010是一種rf變頻控制器,圖1是ir4010的原理框圖,圖中示出了器件內部的主要組成電路。
圖1 ir4010的原理框圖
如圖1所示,電路由兩個比較器來實現控制。比較器comp1控制內部功率mosfet關斷,其上電壓大于vth(1)(0.7 v)時關斷功率mosfet,此電壓來自串在功率mosffγ源極的電流檢測電阻。比較器comp(2)控制功率mosfet的開通,當其上電壓小于vth(2)(1.4 v)時,接通功率mosfet,開通電壓由反激式電壓波形的整形電壓提供,此電路由輔助偏壓繞組加一些二極管、電阻、電容組成。整形后的波形加到5腳的反饋端與copm(2)的vth(2)進行比較以決定功率mosfet開通的時間。通過改變反饋光耦三極管中的電流變化來控制功率mosfet的ton,toff開關頻率也隨之變化。ton,toff時間越長,工作頻率越低;反之,頻率升高,從而實現變頻工作控制。
雖然此器件是頻率控制,但并不是像諧振電路那樣的頻率調制(pfm),在變頻過程中,ton變化速率比toff的變化速率大,此電路實質上是改變頻率的占空比調制,但又不同于固定頻率的pwm調制。
在實際工作中滿載時的頻率最低,空載時頻率最高。這是變頻控制的一大優點。因為電路在輕載時工作頻率高,輸出濾波非常容易,而對頻率調制電路來說,卻成為一大難題。
歡迎轉載,信息來自維庫電子市場網(www.dzsc.com)
ir4010是一種rf變頻控制器,圖1是ir4010的原理框圖,圖中示出了器件內部的主要組成電路。
圖1 ir4010的原理框圖
如圖1所示,電路由兩個比較器來實現控制。比較器comp1控制內部功率mosfet關斷,其上電壓大于vth(1)(0.7 v)時關斷功率mosfet,此電壓來自串在功率mosffγ源極的電流檢測電阻。比較器comp(2)控制功率mosfet的開通,當其上電壓小于vth(2)(1.4 v)時,接通功率mosfet,開通電壓由反激式電壓波形的整形電壓提供,此電路由輔助偏壓繞組加一些二極管、電阻、電容組成。整形后的波形加到5腳的反饋端與copm(2)的vth(2)進行比較以決定功率mosfet開通的時間。通過改變反饋光耦三極管中的電流變化來控制功率mosfet的ton,toff開關頻率也隨之變化。ton,toff時間越長,工作頻率越低;反之,頻率升高,從而實現變頻工作控制。
雖然此器件是頻率控制,但并不是像諧振電路那樣的頻率調制(pfm),在變頻過程中,ton變化速率比toff的變化速率大,此電路實質上是改變頻率的占空比調制,但又不同于固定頻率的pwm調制。
在實際工作中滿載時的頻率最低,空載時頻率最高。這是變頻控制的一大優點。因為電路在輕載時工作頻率高,輸出濾波非常容易,而對頻率調制電路來說,卻成為一大難題。
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