為了研究元件、線路的寄生參數對vrm瞬態特性的影響，首先要建立－個仿真模型。圖1所示為intel公司pentium pro微處理器與vrm接口的仿真模型與瞬態電流的仿真波形。

　　vrm的輸出端有濾波（bulk）電容cb，解耦電容cd，還有封裝（pakaging）電容cp，各電容都有相應的esr和esl，另外，還要考慮各個電容之間的連接線寄生電阻（如0．5 mω）和寄生電感（如0.6 nh）。cdie為芯片電容ib、id、ip分別為濾波電容、解耦電容和封裝電容輸出各支路（即連接線）中的電流。

　　圖1 pentium pro 微處理器與vrm接口的仿真模型與瞬態電流的仿真波形

　　微處理器作為vrm的負載，可以用電流源io表示其工作電流的突變情況。由于vrm輸出接口電路有寄生參數9輸出各支路的電流轉換速率遠小于微處理器的工作電流轉換速率。因此在vrm輸出的不同端點，瞬態電流波形、電流轉換速率及瞬態電壓波形都是不同的。例如，pentium pro的仿真結果表明，當微處理器的工作電流轉換速率為4 a／ns時，濾波電容的輸出支路電流扌：的轉換速率小于30 a／ns；解耦電容的輸出電流id的轉換速率小于1 a／ns。圖1給出了各支路電流ib、id和ip的瞬態波形。

　　當io以高速度轉換時，vrm的輸出電壓仍。從1.5 v先跌落到1．36 v再逐漸回升1.4 v解耦電容端的瞬態輸出電壓ud則先跌落到1.16 v，再逐漸回升到1.33 v。這說明微處理器與vrm接口電路中的各寄生參數對vrm瞬態響應都有很大的影響。

　　圖2 vrm瞬態輸出電壓的仿真波形
　　
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