一、單向可控硅參數_額定通態平均電流it（av）

　　在環境溫度為+40℃及規定的散熱條件、純電阻負載、元件導通角大于己于170°電角度時，可控硅所允許的單相工頻正弦半波電流在一個周期內的最大平均值。

　　二、單向可控硅管的參數_通態平均電壓ut（av）

　　在規定環境、溫度散熱條件下，元件通以額定通態平均電流，結溫穩定時，陽極和陰極間電壓平均值。

　　三、單向可控硅參數_控制極觸發電壓ugt

　　在室溫下，陽極和陰極間加6v電壓時，使可控硅從截止變為完全導通所需的最小控制極直流電壓。

　　四、單向可控硅管的參數_控制極觸發電流igt

　　在室溫下，陽極和陰極間加6v電壓時，使可控硅從截止變為完全導通所需的控制極最小直流電流。

　　五、單向可控硅參數_斷態重復峰值電壓upfv

　　在控制極斷開和正向阻斷的條件下，陽極和陰極間可重復施加的正向峰值電壓。其數值規定為斷態下重復峰值電壓upsm的80%。

　　六、單向可控硅管的參數_反向重復峰值電壓uprv

　　在控制極斷開的條件下，陽極和陰極之間可重復施加的反向峰值電壓。其數值規定為反向不重復峰值電壓ursm的80%。一般把upfv和uprv中較小的數值作為元件的額定電壓。

　　七、單向可控硅參數_維持電壓ih

　　在室溫和控制極斷路時，可控硅從較大的通態電流降至剛好能保持元件處于通態的最小電流，一般為幾十到一百多ma。如果通過的正向電流小于此值，可控硅就不能繼續保持導通而自行截止。

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