TMS320C6711的FLASH引導裝載系統研究與設計
發布時間:2007/8/20 0:00:00 訪問次數:447
來源:國外電子元器件 作者:南昌大學信息工程學院 段榮行 江西師范大學電子工程學院 鄭國蘭
摘要:引導裝載是DSP系統設計中必不可少的重要環節。文章對TI公司TMS320C6711中FLASH引導裝載的概念、方法及特點做了詳細闡述,同時以SST公司的FLASH器(SST39VF040)為例,設計了一個利用FLASH進行引導裝載的系統方案,并給出相應的自加載程序源代碼。
關鍵詞:數字信號處理器 FLASH存儲器 引導裝載 TMS320C6711
1 概述
在一些脫機運行的DSP系統中,用戶代碼需要在加電后自動裝載運行。DSP系統的引導裝載(Bootload)是指在系統加電時,由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到高速存儲器單元中去執行。這樣既可利用外部存儲單元來擴展DSP本身有限的ROM資源,又能充分發揮DSP內部資源的效能。因此,在裝載系統中,外部非易失性存儲器和DSP的性能顯得尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器,而且單位存儲比特的價格比傳統EPROM要低,十分適合用于低功耗、小尺寸和高性能的便攜式系統。本文介紹了TI公司TMS320C6711浮點DSP芯片和SST公司SST39VF040 FLASH存儲器的基本特點,同時給出了一具完整的用FLASH來實現系統引導裝載的實現方案。
2 硬件設計
2.1 器件介紹
整個系統由DSP(TMS320C6711),外部FLASH存儲器(SST39VF040)以及電源管理單元等構成。下面主要介紹前面兩個模塊。TMS320C6711數字信號處理器是美國TI公司推出的TMS320C6000系列浮點DSP的一種,它采用256管腳的BGA封裝,3.3V的I/O電壓和1.8V的內核電壓供電方式,并具有兩級cache緩存結構和高達900MFLOPS的峰值運算能力,可廣泛應用于圖像處理等系統中。
SST39VF040是SST公司推出的FLASH存儲器,該器件十分適合用作外擴存儲器,它的存儲容量為4MB,采用3.3V單電源供電,無需額外提供高電壓即可通過一些特殊的命令字序列實現對各個子模塊的讀寫和擦除,并且可以重復十萬次以上,因而可通過DSP軟件編程來實現對它的讀寫操作,十分適合于系統的調試和開發。
2.2 硬件連接
DSP訪問片外存儲器主要通過外部存儲器接口(EMIF),它不僅具有很強的接口能力,可以和各種存儲器直接接口,而且還具有很高的數據吞吐能力,最高可達1200MB/s。TMS320C6711的EMIF支持8位、16位和32位寬的所有存儲器,當從這些窄位寬的存儲空間讀寫數據時,EMIF會將多個數據打包成一個32位的值,而不必增加額外電路。TMS320C6711與SST39VF040的連接電路如圖1所示。
該電路主要通過DSP的相關輸出管腳來控制FLASH的擦除和讀寫。其中,A0~A18為地址線,DQ0~DQ7為數據線,OE和WE分別為輸出使能和寫使能,CE1為片使能。由于TMS320C6711默認的引導模式是從外部CE1空間的8位FLASH來引導裝載,所以,TMS320C6711的CE1和FLASH的片選CE相連。如果是從16位或32位FLASH引導,則只需將HD[4:3]設置成相應的值即可。
2.3 EMIF寄存器的配置
由于TMS320C6000在異步接口上更加方便,因此,用戶可以靈活地設置讀寫周期以實現與不同速度、不同類型的異步器件的直接接口。EMIF接口由一組存儲器映射的寄存器進行 控制與維護,包括配置各個空間存儲器類型和設置讀寫時序等。和異步器件接口時需配置CE空間控制寄存器,由它來控制存儲器的讀寫周期,本系統用到了CE1空間,故需要設置CE1空間控制寄存器的值。在設置CE1空間控制寄存器時,應滿足以下條件:
(1)異步讀時:
SETUP+STROBE≥(tacc(m)+tsu+tdmax)/tcyc
SETUP+STROBE+HOLD≥(trc(m))/tcye
HOLD≥(th-tdmin-toh(m)/tcye
HOLD≥(th-tdmin-toh(m)/tcye
(2)異步寫時:
STROBE≥(twp(m)/tcye
SETUP+STROBE≥(txw(m))/tcye
HOLD≥(Max(tih(m),twr(m))/tcye
SETUP+STROBE+HOLD≥(twc(m))/tcye
(3)附加參數TA:TA≥(tohz(m))/tcye
以上參數可以從芯片手冊里查到,并可據此得以滿足上述條件的CE1值:CE1=1161C901h。
3 軟件設計
引導裝載系統主要由實現自
來源:國外電子元器件 作者:南昌大學信息工程學院 段榮行 江西師范大學電子工程學院 鄭國蘭
摘要:引導裝載是DSP系統設計中必不可少的重要環節。文章對TI公司TMS320C6711中FLASH引導裝載的概念、方法及特點做了詳細闡述,同時以SST公司的FLASH器(SST39VF040)為例,設計了一個利用FLASH進行引導裝載的系統方案,并給出相應的自加載程序源代碼。
關鍵詞:數字信號處理器 FLASH存儲器 引導裝載 TMS320C6711
1 概述
在一些脫機運行的DSP系統中,用戶代碼需要在加電后自動裝載運行。DSP系統的引導裝載(Bootload)是指在系統加電時,由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到高速存儲器單元中去執行。這樣既可利用外部存儲單元來擴展DSP本身有限的ROM資源,又能充分發揮DSP內部資源的效能。因此,在裝載系統中,外部非易失性存儲器和DSP的性能顯得尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器,而且單位存儲比特的價格比傳統EPROM要低,十分適合用于低功耗、小尺寸和高性能的便攜式系統。本文介紹了TI公司TMS320C6711浮點DSP芯片和SST公司SST39VF040 FLASH存儲器的基本特點,同時給出了一具完整的用FLASH來實現系統引導裝載的實現方案。
2 硬件設計
2.1 器件介紹
整個系統由DSP(TMS320C6711),外部FLASH存儲器(SST39VF040)以及電源管理單元等構成。下面主要介紹前面兩個模塊。TMS320C6711數字信號處理器是美國TI公司推出的TMS320C6000系列浮點DSP的一種,它采用256管腳的BGA封裝,3.3V的I/O電壓和1.8V的內核電壓供電方式,并具有兩級cache緩存結構和高達900MFLOPS的峰值運算能力,可廣泛應用于圖像處理等系統中。
SST39VF040是SST公司推出的FLASH存儲器,該器件十分適合用作外擴存儲器,它的存儲容量為4MB,采用3.3V單電源供電,無需額外提供高電壓即可通過一些特殊的命令字序列實現對各個子模塊的讀寫和擦除,并且可以重復十萬次以上,因而可通過DSP軟件編程來實現對它的讀寫操作,十分適合于系統的調試和開發。
2.2 硬件連接
DSP訪問片外存儲器主要通過外部存儲器接口(EMIF),它不僅具有很強的接口能力,可以和各種存儲器直接接口,而且還具有很高的數據吞吐能力,最高可達1200MB/s。TMS320C6711的EMIF支持8位、16位和32位寬的所有存儲器,當從這些窄位寬的存儲空間讀寫數據時,EMIF會將多個數據打包成一個32位的值,而不必增加額外電路。TMS320C6711與SST39VF040的連接電路如圖1所示。
該電路主要通過DSP的相關輸出管腳來控制FLASH的擦除和讀寫。其中,A0~A18為地址線,DQ0~DQ7為數據線,OE和WE分別為輸出使能和寫使能,CE1為片使能。由于TMS320C6711默認的引導模式是從外部CE1空間的8位FLASH來引導裝載,所以,TMS320C6711的CE1和FLASH的片選CE相連。如果是從16位或32位FLASH引導,則只需將HD[4:3]設置成相應的值即可。
2.3 EMIF寄存器的配置
由于TMS320C6000在異步接口上更加方便,因此,用戶可以靈活地設置讀寫周期以實現與不同速度、不同類型的異步器件的直接接口。EMIF接口由一組存儲器映射的寄存器進行 控制與維護,包括配置各個空間存儲器類型和設置讀寫時序等。和異步器件接口時需配置CE空間控制寄存器,由它來控制存儲器的讀寫周期,本系統用到了CE1空間,故需要設置CE1空間控制寄存器的值。在設置CE1空間控制寄存器時,應滿足以下條件:
(1)異步讀時:
SETUP+STROBE≥(tacc(m)+tsu+tdmax)/tcyc
SETUP+STROBE+HOLD≥(trc(m))/tcye
HOLD≥(th-tdmin-toh(m)/tcye
HOLD≥(th-tdmin-toh(m)/tcye
(2)異步寫時:
STROBE≥(twp(m)/tcye
SETUP+STROBE≥(txw(m))/tcye
HOLD≥(Max(tih(m),twr(m))/tcye
SETUP+STROBE+HOLD≥(twc(m))/tcye
(3)附加參數TA:TA≥(tohz(m))/tcye
以上參數可以從芯片手冊里查到,并可據此得以滿足上述條件的CE1值:CE1=1161C901h。
3 軟件設計
引導裝載系統主要由實現自
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