賽普拉斯是SONOS工藝技術的領先廠商，在其下一代PSoC^®混合信號陣列、可編程時鐘和其他產品中都采用了S8技術。SONOS與標準的CMOS技術兼容，并且具有高耐用性、低功耗和抗輻射的優勢。賽普拉斯的S8™ 0.13-微米 SONOS工藝在其自身的芯片廠和多個合作芯片廠中都有使用。與其他基于磁和鐵電的非易失性存儲技術相比，SONOS技術在規模擴展和可制造性方面具有突出的優勢。

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賽普拉斯的串行nvSRAM具有I²C (1-Mbit: CY14B101J) 和 SPI (1-Mbit: CY14B101QA)兩種接口，封裝方式為小尺寸8-SOIC 和 16-SOIC。這些器件還具有512-Kbit, 256-Kbit 和64-Kbit容量規格，以及可選配的實時時鐘。目前，這些器件出于樣品階段，預計四月份開始量產。

賽普拉斯的nvSRAM采用儲存在外部電容器中的電荷，而非電池，因而器件與標準的PCB裝配流程是兼容的。賽普拉斯的nvSRAM兼容ROHS標準，可以直接替代SRAM、電池供電的SRAM（BBSRAM）和EEPROM器件，提供快速的非易失性數據存儲。斷電時，數據從SRAM存儲到器件的非易失性單元的過程可自動進行。供電恢復后，數據可從非易失性單元中恢復至SRAM。在儀表、工業、汽車和RAID應用中，當出現電力中斷的情況時，nvSRAM無需電池即可提供高速數據傳輸并保證數據的完整性。

賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM），該存儲器具有I²C和SPI接口，可用于儀表、工業和汽車應用。新的器件最高工作頻率可分別達到104MHz（SPI器件）和3.4MHz（I²C器件）。同時，用戶還可以選擇集成實時時鐘（RTC），用于給重要的數據打上時間標記，以便備份。

賽普拉斯的nvSRAM采用其S8™ 0.13-微米 SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存儲器技術制造，擁有卓越的可靠性和改善的性能。nvSRAM對于要求數據的絕對非易失性的應用（如智能電表、PLC、馬達驅動、汽車電子數據記錄儀、RAID系統、醫療和數據通訊系統）而言，是理想的選擇。

新的串行nvSRAM系列產品包括具有多種配置的1-Mbit，512-Kbit，256-Kbit和64-Kbit器件。這些器件具有卓越的性能， SPI運行頻率可達到業界領先的104MHz，具有SPI模式0和3、無限次讀寫和取回周期，數據保存時間長達20年。這些器件采用業界標準的8-SOIC 和16-SOIC小尺寸封裝方式。