SiR662DP和SiR640DP適用于DC/DC和AC/DC轉換器中的次級側同步整流、DC/DC轉換器中的初級側開關、負載點模塊、電機驅動、橋式逆變器和替代機械式繼電器的應用。典型終端產品包括通信電源、工業自動化和專業游戲機、不間斷電源(UPS)和消費類應用。

MOSFET的電壓等級為4.5V，使許多設計者能夠在其系統中使用現有的給數字邏輯電路供電的5V電源軌，無需再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。4.5V電壓等級還能夠大幅降低柵極驅動的損耗，同時還能夠使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。

兩款芯片均經過了100%的Rg和UIS測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR662DP和SiR640DP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET^®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK^® SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優值系數。

40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最接近的競爭MOSFET低4%，而4.5V下的FOM則低15.5%。

60V SiR662DP在10V和4.5V下的導通電阻分別為2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的導通電阻分別比最接近的同檔次MOSFET分別低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。在器件的整個工作范圍內，低導通電阻和低FOM將能夠減少開關損耗。

兩款器件在制造過程中采用了一種新的硅技術，該技術使用了優化的溝槽密度和特殊的柵極結構。對于設計者來說，更低的導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而降低功耗，尤其是在重載的情況下。器件的低FOM能夠降低高頻和開關應用中的開關損耗，特別是在輕負載和待機模式下。器件的高頻率使設計者能夠增加其系統的功率密度，或是同時實現更低的功率損耗和更綠色的應用方案。