AFEM-S102
發布時間:2011/4/18 9:41:14 訪問次數:1058
Avago FBAR技術與陶瓷或SAW(表面聲波)濾波器以及其他競爭技術相比,可使頻率滾降幅度更大,而且可外形更加緊湊。低插入損耗可降低功率放大器電流,并提高接收器的靈敏度和動態范圍,因此可使手機有更長的電池壽命和通話時間,以及更加的信號質量。FBAR技術使得只在通常大小的幾分之一內制造超小型的高Q值濾波器,并與其他電波組件集成成為可能。
AFEM-S102的其他產品特點
• 所有RF端口為50 ohms匹配以簡化設計
• TX、RX、BT和ANT端口直流阻斷
• -18dB TX定向耦合
• -30°至+85°C工作溫度Avago Technologies是一家為通信、工業和消費類應用提供模擬接口零組件的領先供應商,該公司今日宣布推出一款前端模塊,可為手機和平板電腦以及其他便攜式個人電腦設備的移動路由器提供強大的802.11 b/g/n WiFi和藍牙電波過濾功能。這款最新的AFEM-S102模塊將一個薄膜腔聲諧振器(FBAR)共存濾波器、SP3T天線開關和TX通道耦合器結合在一個小型的2.2 x 2.2 x 0.55毫米封裝中,非常適合對空間有限制要求的應用用途。這一2.5GHz模塊可提供優異的頻外抑制功能,使WiFi 和藍牙數據通信可同時和手機通信標準進行。
Avago前端模塊集成應用了多種高性能技術,可減小PCB基板封裝尺寸,并簡化便攜式電子應用設備的設計。AFEM-S102模塊具有低插入損耗特性,同時提供高噪聲抑制,滿足共存所需的苛刻要求,并減少WiFi、藍牙以及其他電波間的干擾問題。由于對Avago 0.25μm GaAs增強模式pHEMT工藝及其領先的專有FBAR過濾技術進行有效的優化利用,該模塊可為TX通道提供2.6dB的最大插入損耗,以及2110-2170MHz范圍內35dB的拒斥能力。
Avago FBAR技術與陶瓷或SAW(表面聲波)濾波器以及其他競爭技術相比,可使頻率滾降幅度更大,而且可外形更加緊湊。低插入損耗可降低功率放大器電流,并提高接收器的靈敏度和動態范圍,因此可使手機有更長的電池壽命和通話時間,以及更加的信號質量。FBAR技術使得只在通常大小的幾分之一內制造超小型的高Q值濾波器,并與其他電波組件集成成為可能。
AFEM-S102的其他產品特點
• 所有RF端口為50 ohms匹配以簡化設計
• TX、RX、BT和ANT端口直流阻斷
• -18dB TX定向耦合
• -30°至+85°C工作溫度Avago Technologies是一家為通信、工業和消費類應用提供模擬接口零組件的領先供應商,該公司今日宣布推出一款前端模塊,可為手機和平板電腦以及其他便攜式個人電腦設備的移動路由器提供強大的802.11 b/g/n WiFi和藍牙電波過濾功能。這款最新的AFEM-S102模塊將一個薄膜腔聲諧振器(FBAR)共存濾波器、SP3T天線開關和TX通道耦合器結合在一個小型的2.2 x 2.2 x 0.55毫米封裝中,非常適合對空間有限制要求的應用用途。這一2.5GHz模塊可提供優異的頻外抑制功能,使WiFi 和藍牙數據通信可同時和手機通信標準進行。
Avago前端模塊集成應用了多種高性能技術,可減小PCB基板封裝尺寸,并簡化便攜式電子應用設備的設計。AFEM-S102模塊具有低插入損耗特性,同時提供高噪聲抑制,滿足共存所需的苛刻要求,并減少WiFi、藍牙以及其他電波間的干擾問題。由于對Avago 0.25μm GaAs增強模式pHEMT工藝及其領先的專有FBAR過濾技術進行有效的優化利用,該模塊可為TX通道提供2.6dB的最大插入損耗,以及2110-2170MHz范圍內35dB的拒斥能力。
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