91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

位置:51電子網 » 技術資料 » 初學園地

晶閘管觸發電路

發布時間:2011/11/23 15:32:27 訪問次數:13984

一、簡單的阻容移相觸發電路及參數選擇
1.單向晶閘管阻容移相觸發電路
    單向晶閘管阻容加二極管式移相觸發電路如圖12-15 (a)所示,
其波形如圖12-15 (b)所示。

(b)波形圖
    圖12 -15阻容加二極管式移相電路
    電路特點:簡單,移相范圍<180℃,實際范圍級為170。;受
溫度影響較大,適用于小功率、要求不高的場合。
    單向晶閘管阻容加穩壓管式移相觸發電路如圖12-16 (a)所示,
其波形如圖12-16 (b)所示。


               (a)電路圖          (b)波形圖
    圖12 -16  阻容加穩壓管式移相電路
    電路特點:簡單,移相范圍<180。;線性度較好,控制準確度
較好,適用于低電壓,而又要求不高的電鍍、電解電源等。
圖中,電位器RP選用十幾至幾十千歐,o.5~1W;二極管選
用2CP12或1N4001等;穩壓管VS選用穩壓值Uz為十幾伏至數
十伏、最大穩定電流J。。為數十毫安的管子;電容C選用0. 033~
o.ltu,F,漏電流小的電容,如CBB22型等;電解電容C選用10~
lOOp,F,也要求漏電流小。
2.雙向晶閘管阻容移相觸發電路
    雙向晶閘管阻容加雙向觸發二極管式移相觸發電路如圖12-17
(a)所示,其波形如圖12-17 (b)所示。圖中,UB0為雙向觸發二極
管的轉折電壓(擊穿電壓),一般為20~70V,擊穿電流為
100~2001u,A。
(a)電路圖
0
(b)波形圖
    圖12 -17雙向晶閘管阻容移相電路
    RP、R2和C的選擇與所需的最大、最小移相角有關。對于如
圖12-17 (a)參數,當RP的阻值為o時,C的充電時間常數r1 -
R2C=l.8×103×0.1×10-6一0.18ms;當RP的電阻值為98kQ
時,C的充電時間常數r2一(RP+R2)C= (98+1.8)×103×0.1×
10-6 =lOms;r1一o.18ms時,對應的控制角ai=3。(接近于雙向
晶閘管全導通);r2—lOnis時,對應的控制角a2 =1809(雙向晶閘
管關閉)。可見,RP、R2、C的選擇由調壓范圍而定。


    圖12-17中Ri為限流電阻,也可不用。
    電阻、電位器的功率一般取0. 5~1W。
二、單結晶體管觸發電路及參數選擇
    由單結晶體管及阻容元件等組成的觸發電路,又稱單結晶體管

弛張振蕩器。單結晶體管觸發電路簡單易調,脈沖前沿陡,抗干擾
能力強。但由于脈沖較窄,觸發功率小,移相范圍也較小,所以多
用于50A及以下晶閘管的中、小功率系統中。
    電路如圖12-18(a)所示,波形如圖12-18(b)所示。



1.工作原理
    接通同步電源,經穩壓管VS削波,電壓E經電阻R向電容C
充電,電容C兩端電壓Uc逐漸上升,當Uc上升至單結晶體管
VT的峰點電壓Up時,管子e-bi導通,電容C通過e-bi和電阻
Ri迅速放電,在Ri上產生一脈沖輸出電壓。隨著C的放電,Uc
迅速下降至管子谷點電壓U,時,e.bi重新截止,電容C重新充
電,并重復上述過程。于是在電阻R2上產生如圖12-18 (b)所示
的一串周期性的脈沖。
2.元件選擇
    (1)電容C的選擇  電容C的容量大小,儲存的電能不足,
放電脈沖就窄,不易觸開晶閘管;C的容量太大,這將與R的選
擇產生矛盾。一般C的選擇范圍為0.1~ltLF,觸發大容量的晶閘
管時可選大些。
    (2)放電電阻Ri的選擇Ri的阻值太小,會使放電太快,尖
頂脈沖過窄,不易觸發導通晶閘管;Ri的阻值太大,則漏屯流
(約幾毫安)在風上的電壓降就大,致使晶閘管誤觸發(晶閘管

的不觸發電壓約為0.15~0.25V)。一般R1的選用范圍為
50~100Ω。
    (3)溫度補償電阻R2的選擇  因為單結晶體管的峰值電壓為
Up一ηUbb +UD,其中,分壓比η幾乎與溫度無關,Up的變化是由
等效二極管的正向壓降UD引起,UD具有- 2mV/℃的溫度系數。
Up變化會引起晶閘管的導通角改變,這是不允許的。為了穩定
Up,接入電阻R2,此時基極間的電壓將為

                              
    式中Rbb---基極間電阻,Ω。
    Rbb具有正的溫度系數,只要適當選擇R2的數值,便可使
T)Ubb隨溫度的變化恰好補償UD的變化量。
    R2一般選用300~400Ω。
    (4)充電電阻R的選擇  為了獲得穩定的振蕩,R的阻值應
滿足
                    

式中  Uv,Up-谷點和峰點電壓,V;
    Iv,Ip一一谷點和峰點電流,A。
    為了便于調整,R-般由一只固定電阻和一只電位器串聯
而成。
    振蕩器的振蕩頻率按下式計算:
                

式中   f——振蕩頻率,Hz;
       R-電阻,Ω;
       C一一電容,F。
    (5)分壓比η的選擇  一般選用η為0.5~0.85的管子。η太
大,觸發時間容易不穩定;η太小,脈沖幅值又不夠高。

(6)穩壓管VS的選擇穩壓管起同步作用,并能消除電源電
壓波動的影響。穩壓管的工作電壓U。若選得太低,會使輸出脈沖
幅度減小造成不觸發;選得太高(超過單結晶體管的耐壓,即30~
60V,或使觸發脈沖幅值超過晶閘管控制極的允許值,且日10V),
會損壞單結晶體管或晶閘管。一般選用20V左右。
    實用的單結晶體管觸發電路的形式有如圖12-19所示的幾種。



(b)利用二級管抑制負脈沖
的電路
    
    (e)經三極管控制放大的觸發電路

M29F400BT45N1

一、簡單的阻容移相觸發電路及參數選擇
1.單向晶閘管阻容移相觸發電路
    單向晶閘管阻容加二極管式移相觸發電路如圖12-15 (a)所示,
其波形如圖12-15 (b)所示。

(b)波形圖
    圖12 -15阻容加二極管式移相電路
    電路特點:簡單,移相范圍<180℃,實際范圍級為170。;受
溫度影響較大,適用于小功率、要求不高的場合。
    單向晶閘管阻容加穩壓管式移相觸發電路如圖12-16 (a)所示,
其波形如圖12-16 (b)所示。


               (a)電路圖          (b)波形圖
    圖12 -16  阻容加穩壓管式移相電路
    電路特點:簡單,移相范圍<180。;線性度較好,控制準確度
較好,適用于低電壓,而又要求不高的電鍍、電解電源等。
圖中,電位器RP選用十幾至幾十千歐,o.5~1W;二極管選
用2CP12或1N4001等;穩壓管VS選用穩壓值Uz為十幾伏至數
十伏、最大穩定電流J。。為數十毫安的管子;電容C選用0. 033~
o.ltu,F,漏電流小的電容,如CBB22型等;電解電容C選用10~
lOOp,F,也要求漏電流小。
2.雙向晶閘管阻容移相觸發電路
    雙向晶閘管阻容加雙向觸發二極管式移相觸發電路如圖12-17
(a)所示,其波形如圖12-17 (b)所示。圖中,UB0為雙向觸發二極
管的轉折電壓(擊穿電壓),一般為20~70V,擊穿電流為
100~2001u,A。
(a)電路圖
0
(b)波形圖
    圖12 -17雙向晶閘管阻容移相電路
    RP、R2和C的選擇與所需的最大、最小移相角有關。對于如
圖12-17 (a)參數,當RP的阻值為o時,C的充電時間常數r1 -
R2C=l.8×103×0.1×10-6一0.18ms;當RP的電阻值為98kQ
時,C的充電時間常數r2一(RP+R2)C= (98+1.8)×103×0.1×
10-6 =lOms;r1一o.18ms時,對應的控制角ai=3。(接近于雙向
晶閘管全導通);r2—lOnis時,對應的控制角a2 =1809(雙向晶閘
管關閉)。可見,RP、R2、C的選擇由調壓范圍而定。


    圖12-17中Ri為限流電阻,也可不用。
    電阻、電位器的功率一般取0. 5~1W。
二、單結晶體管觸發電路及參數選擇
    由單結晶體管及阻容元件等組成的觸發電路,又稱單結晶體管

弛張振蕩器。單結晶體管觸發電路簡單易調,脈沖前沿陡,抗干擾
能力強。但由于脈沖較窄,觸發功率小,移相范圍也較小,所以多
用于50A及以下晶閘管的中、小功率系統中。
    電路如圖12-18(a)所示,波形如圖12-18(b)所示。



1.工作原理
    接通同步電源,經穩壓管VS削波,電壓E經電阻R向電容C
充電,電容C兩端電壓Uc逐漸上升,當Uc上升至單結晶體管
VT的峰點電壓Up時,管子e-bi導通,電容C通過e-bi和電阻
Ri迅速放電,在Ri上產生一脈沖輸出電壓。隨著C的放電,Uc
迅速下降至管子谷點電壓U,時,e.bi重新截止,電容C重新充
電,并重復上述過程。于是在電阻R2上產生如圖12-18 (b)所示
的一串周期性的脈沖。
2.元件選擇
    (1)電容C的選擇  電容C的容量大小,儲存的電能不足,
放電脈沖就窄,不易觸開晶閘管;C的容量太大,這將與R的選
擇產生矛盾。一般C的選擇范圍為0.1~ltLF,觸發大容量的晶閘
管時可選大些。
    (2)放電電阻Ri的選擇Ri的阻值太小,會使放電太快,尖
頂脈沖過窄,不易觸發導通晶閘管;Ri的阻值太大,則漏屯流
(約幾毫安)在風上的電壓降就大,致使晶閘管誤觸發(晶閘管

的不觸發電壓約為0.15~0.25V)。一般R1的選用范圍為
50~100Ω。
    (3)溫度補償電阻R2的選擇  因為單結晶體管的峰值電壓為
Up一ηUbb +UD,其中,分壓比η幾乎與溫度無關,Up的變化是由
等效二極管的正向壓降UD引起,UD具有- 2mV/℃的溫度系數。
Up變化會引起晶閘管的導通角改變,這是不允許的。為了穩定
Up,接入電阻R2,此時基極間的電壓將為

                              
    式中Rbb---基極間電阻,Ω。
    Rbb具有正的溫度系數,只要適當選擇R2的數值,便可使
T)Ubb隨溫度的變化恰好補償UD的變化量。
    R2一般選用300~400Ω。
    (4)充電電阻R的選擇  為了獲得穩定的振蕩,R的阻值應
滿足
                    

式中  Uv,Up-谷點和峰點電壓,V;
    Iv,Ip一一谷點和峰點電流,A。
    為了便于調整,R-般由一只固定電阻和一只電位器串聯
而成。
    振蕩器的振蕩頻率按下式計算:
                

式中   f——振蕩頻率,Hz;
       R-電阻,Ω;
       C一一電容,F。
    (5)分壓比η的選擇  一般選用η為0.5~0.85的管子。η太
大,觸發時間容易不穩定;η太小,脈沖幅值又不夠高。

(6)穩壓管VS的選擇穩壓管起同步作用,并能消除電源電
壓波動的影響。穩壓管的工作電壓U。若選得太低,會使輸出脈沖
幅度減小造成不觸發;選得太高(超過單結晶體管的耐壓,即30~
60V,或使觸發脈沖幅值超過晶閘管控制極的允許值,且日10V),
會損壞單結晶體管或晶閘管。一般選用20V左右。
    實用的單結晶體管觸發電路的形式有如圖12-19所示的幾種。



(b)利用二級管抑制負脈沖
的電路
    
    (e)經三極管控制放大的觸發電路

M29F400BT45N1

熱門點擊

 

推薦技術資料

FU-19推挽功放制作
    FU-19是國產大功率發射雙四極功率電二管,EPL20... [詳細]
版權所有:51dzw.COM
深圳服務熱線:13751165337  13692101218
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網安備44030402000607
深圳市碧威特網絡技術有限公司
付款方式


 復制成功!
蒙阴县| 安乡县| 鄂托克前旗| 晋江市| 汕头市| 望江县| 天祝| 独山县| 延安市| 南郑县| 广元市| 自治县| 广昌县| 荥经县| 东乡| 讷河市| 道真| 四平市| 民丰县| 门头沟区| 大渡口区| 洪雅县| 永仁县| 板桥市| 比如县| 巴青县| 郯城县| 平湖市| 阿巴嘎旗| 扎兰屯市| 红桥区| 大埔县| 湖州市| 成都市| 陈巴尔虎旗| 元氏县| 大姚县| 武川县| 兴义市| 基隆市| 江山市|