在純凈半導體（本征半導體）中摻入微量合適的雜質元素，可使半導體的導電能力大大增強。按摻入的雜質元素不同，雜質半導體可分為兩類。AD7510DISQ Q   

    (1)N型半導體
    N型半導體又稱為電子型半導體，其內部自由電子數量多于空穴數量．即自由電子是多數載流子（簡稱多子），空穴是少數載流子（簡稱少子）。例如，在單晶硅中摻入微量磷元素，可得到N型硅，如圖1 - 2(a)所示。由圖1-2(a)可知，多余的1個價電子不參加共價鍵，形成自由電子，而磷原子因失去電子變成了正離子，其空間電荷如圖1 - 2(b)所示。圖中自由電子數大
于空穴數，所以自由電子為多數載流子，空穴為少數載流子，這種導電以自由電子為主的半導體就稱為N型半導體。

                             
  
    (2)P型半導體
    P型半導體又稱為空穴型半導體，其內部空穴是多數載流子，自由電子是少數載流子。例如，在單晶硅中摻入微量硼元素，可得到P型硅，如圖1 - 3(a)所示。由圖1- 3(a)可知，加入三價元素硼之后多了一個空穴，這個空穴就是載流子，具有導電性能。硼原子因多了一個空穴而變成了負離子，其空間電荷如圖1 - 3(b)所示。圖中空穴數大于自由電子數，空穴為多數載
流子，而自由電子為少數載流子，導電以空穴為主，這種半導體稱為P型半導體。從以上分析看，摻人少量的某種元件，可使晶體中的自由電子或空穴數量劇增，從而大大提高了半導體的導電能力。
 
    在雜質半導體中，多數載流子起主要導電作用。由于多數載流子的數量取決于摻雜濃度，因而它受溫度的影響較小；而少數載流子對溫度非常敏感，這將影響半導體的性能。