運行模式下的功耗
發布時間:2012/2/20 20:55:53 訪問次數:466
代碼從FLASH執行的運行模式下的功耗見表2.10。代碼從RAM執行的運行模式下的功耗見表2. 11。BT869KRF
從表2. 10和2.11可見:
·功耗隨著時鐘頻率的增加而增加。
·在代碼從RAM執行時,其代碼的執行時間比從閃存執行相同代碼要長。
·在使用內部時鐘時,功耗與電源電壓無關,這是因為內部RC振蕩器是由內部的1.8V穩壓器供電的。
·表2. 10和表2.11沒有體現出代碼位于存儲器不同位置的不同功耗。但是,如果循環代碼的大小小于一個存儲器塊的大小,把循環代碼放置在一個存儲器塊中可以降低功耗。因為這時只激活了一個存儲器塊。
·表2. 10和表2.11沒有體現出執行不同代碼的不同功耗。但是,運行模式下的功耗和執行的指令與指令的操作數有關。功耗相對低的指令有INC A和NOP等。功耗相對高的指令有LD(從閃存)和ADD A,#$01等。
·外晶振的功耗大致為:SV,0.6mA;3.3V,0.3mA。
代碼從FLASH執行的運行模式下的功耗見表2.10。代碼從RAM執行的運行模式下的功耗見表2. 11。BT869KRF
從表2. 10和2.11可見:
·功耗隨著時鐘頻率的增加而增加。
·在代碼從RAM執行時,其代碼的執行時間比從閃存執行相同代碼要長。
·在使用內部時鐘時,功耗與電源電壓無關,這是因為內部RC振蕩器是由內部的1.8V穩壓器供電的。
·表2. 10和表2.11沒有體現出代碼位于存儲器不同位置的不同功耗。但是,如果循環代碼的大小小于一個存儲器塊的大小,把循環代碼放置在一個存儲器塊中可以降低功耗。因為這時只激活了一個存儲器塊。
·表2. 10和表2.11沒有體現出執行不同代碼的不同功耗。但是,運行模式下的功耗和執行的指令與指令的操作數有關。功耗相對低的指令有INC A和NOP等。功耗相對高的指令有LD(從閃存)和ADD A,#$01等。
·外晶振的功耗大致為:SV,0.6mA;3.3V,0.3mA。
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