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SCR ESD器件

發布時間:2012/4/22 16:34:51 訪問次數:2950

    由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作為極好的ESD保護器件。圖2. 27和圖2.28分別給出了一個典型的SCR截面圖和等效電路。當ESD脈沖在陽極A端出現,通過K端泄放時,ESD脈沖首先擊穿縱向PN( Q1)的BC結,所產生的空穴通過寄生襯底電阻R。。。流動,從而使橫向NPN Qz的VBE增加,直到將它打開,從而觸發SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD電流,同時低的保持電壓將A PAD鉗位到一個安全的電平,以防止任何ESD損害。SCR是非常有效的ESD保護結構,由于它具有較強的電流保持能力,所以它所占用面積很小。但是需要仔細設計以預防可能的latch-up效應。例如,它的保持電流必須設計得比芯片上的其他電流高。需要采用適當隔離的雙保護環和布局,以預防早期觸發。SCR還有一個缺點,即在相反方向的ESD保護是靠寄生二極管來完成的,這樣就使許多高壓和混合信號集成電路的性能下降。

                        

    由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作為極好的ESD保護器件。圖2. 27和圖2.28分別給出了一個典型的SCR截面圖和等效電路。當ESD脈沖在陽極A端出現,通過K端泄放時,ESD脈沖首先擊穿縱向PN( Q1)的BC結,所產生的空穴通過寄生襯底電阻R。。。流動,從而使橫向NPN Qz的VBE增加,直到將它打開,從而觸發SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD電流,同時低的保持電壓將A PAD鉗位到一個安全的電平,以防止任何ESD損害。SCR是非常有效的ESD保護結構,由于它具有較強的電流保持能力,所以它所占用面積很小。但是需要仔細設計以預防可能的latch-up效應。例如,它的保持電流必須設計得比芯片上的其他電流高。需要采用適當隔離的雙保護環和布局,以預防早期觸發。SCR還有一個缺點,即在相反方向的ESD保護是靠寄生二極管來完成的,這樣就使許多高壓和混合信號集成電路的性能下降。

                        

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