消除鋁的電遷移失效模式的可靠性設計
發布時間:2012/5/6 15:31:13 訪問次數:1078
鋁、金等導體離子在宣流電場作用下LTV-817S的電遷移是金屬離子與空位沿相對方向進行的擴散過程。只有在遷移的離子流發散時電遷移才導致損害，微觀結構的不連續性如晶界會合的三重點和缺陷中心等都會使離子流發散而形成空洞，它使局部阻值增大甚至導致開路。
鋁膜的幾何形狀、組分、微觀結構以及成膜工藝都會影響其電遷移失效。細長的鋁膜較易發生電遷移，特別是長超過lcm、寬小于3tLm的鋁條很容易出現電遷移現象。晶粒較大的鋁膜因其晶界發散點較少所以電遷移失效率低于細晶粒鋁膜。
抑制鋁膜電遷移失效的方法有多種如退火、加Cr或S102類覆蓋膜等，其中比較簡便而有效的方法是合金化，即在鋁中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制鋁的擴散，例如摻Cu可使140～250℃間的晶界擴散速率降低2個數量級；摻2%Cu的鋁膜在200℃時的壽命比粗晶鋁高16倍，比細晶鋁高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性設計
LiNb03晶片的微裂常常出現在IDT的指條邊上或波導一喇叭口間的金屬條邊上，它與這種晶體所固有的鐵電性、熱電性和壓電性有關。這種缺陷不能完全通過退火和極化來消除。
為防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆蓋晶片的自由表面。同時，在壓電晶片的加工和檢驗過程中都需要特別細致精心。
鋁膜的幾何形狀、組分、微觀結構以及成膜工藝都會影響其電遷移失效。細長的鋁膜較易發生電遷移，特別是長超過lcm、寬小于3tLm的鋁條很容易出現電遷移現象。晶粒較大的鋁膜因其晶界發散點較少所以電遷移失效率低于細晶粒鋁膜。
抑制鋁膜電遷移失效的方法有多種如退火、加Cr或S102類覆蓋膜等，其中比較簡便而有效的方法是合金化，即在鋁中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制鋁的擴散，例如摻Cu可使140～250℃間的晶界擴散速率降低2個數量級；摻2%Cu的鋁膜在200℃時的壽命比粗晶鋁高16倍，比細晶鋁高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性設計
LiNb03晶片的微裂常常出現在IDT的指條邊上或波導一喇叭口間的金屬條邊上，它與這種晶體所固有的鐵電性、熱電性和壓電性有關。這種缺陷不能完全通過退火和極化來消除。
為防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆蓋晶片的自由表面。同時，在壓電晶片的加工和檢驗過程中都需要特別細致精心。
鋁、金等導體離子在宣流電場作用下LTV-817S的電遷移是金屬離子與空位沿相對方向進行的擴散過程。只有在遷移的離子流發散時電遷移才導致損害，微觀結構的不連續性如晶界會合的三重點和缺陷中心等都會使離子流發散而形成空洞，它使局部阻值增大甚至導致開路。
鋁膜的幾何形狀、組分、微觀結構以及成膜工藝都會影響其電遷移失效。細長的鋁膜較易發生電遷移，特別是長超過lcm、寬小于3tLm的鋁條很容易出現電遷移現象。晶粒較大的鋁膜因其晶界發散點較少所以電遷移失效率低于細晶粒鋁膜。
抑制鋁膜電遷移失效的方法有多種如退火、加Cr或S102類覆蓋膜等，其中比較簡便而有效的方法是合金化，即在鋁中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制鋁的擴散，例如摻Cu可使140～250℃間的晶界擴散速率降低2個數量級；摻2%Cu的鋁膜在200℃時的壽命比粗晶鋁高16倍，比細晶鋁高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性設計
LiNb03晶片的微裂常常出現在IDT的指條邊上或波導一喇叭口間的金屬條邊上，它與這種晶體所固有的鐵電性、熱電性和壓電性有關。這種缺陷不能完全通過退火和極化來消除。
為防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆蓋晶片的自由表面。同時，在壓電晶片的加工和檢驗過程中都需要特別細致精心。
鋁膜的幾何形狀、組分、微觀結構以及成膜工藝都會影響其電遷移失效。細長的鋁膜較易發生電遷移，特別是長超過lcm、寬小于3tLm的鋁條很容易出現電遷移現象。晶粒較大的鋁膜因其晶界發散點較少所以電遷移失效率低于細晶粒鋁膜。
抑制鋁膜電遷移失效的方法有多種如退火、加Cr或S102類覆蓋膜等，其中比較簡便而有效的方法是合金化，即在鋁中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制鋁的擴散，例如摻Cu可使140～250℃間的晶界擴散速率降低2個數量級；摻2%Cu的鋁膜在200℃時的壽命比粗晶鋁高16倍，比細晶鋁高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性設計
LiNb03晶片的微裂常常出現在IDT的指條邊上或波導一喇叭口間的金屬條邊上，它與這種晶體所固有的鐵電性、熱電性和壓電性有關。這種缺陷不能完全通過退火和極化來消除。
為防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆蓋晶片的自由表面。同時，在壓電晶片的加工和檢驗過程中都需要特別細致精心。
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